Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47878.9056

Переводная версия: 10.1134/S1063782619070157

Российский фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-08-01292

Кюрегян А.С. ¹

¹ПАО "НПО Энергомодуль", Москва, Россия NPO ENERGOMODUL, Moscow, Russia

Email: semlab@yandex.ru

Поступила в редакцию: 27 декабря 2018 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены приближенные аналитические формулы, позволяющие оценить основные параметры диффузионных диодов с резким восстановлением, при работе в качестве прерывателей тока в мощных генераторах наносекундных импульсов с промежуточным индуктивным накопителем энергии: напряжение паразитного предымпульса, характеризующее резистивные потери в диффузионных диодах с резким восстановлением, амплитуду, длительность фронта, максимальную скорость нарастания напряжения и длительность импульса, формируемого на активной нагрузке. Для сравнения приводятся аналогичные формулы для эпитаксиальных диодов с резким восстановлением, частично полученные впервые, а частично уточняющие ранние результаты. Ключевые слова: прерыватели тока, диоды с резким восстановлением, аналитическая теория, параметры формируемых импульсов.

А.С. Кюрегян. ФТП, 53 (7), 9055 (2019)
А.С. Кюрегян. ЖТФ, 74 (6), 57 (2004)
H. Benda, E. Spenke. Proc. IEEE, 55 (8), 1331 (1967)
H. Benda, F. Dannhauser. Solid State Electron., 11 (1), 1 (1968)
И.В. Грехов, А.С. Кюрегян. ЖТФ, 75 (7), 88 (2005)
И.В. Грехов, Г.А. Месяц. УФН, 175 (7), 735 (2005)
И.В. Грехов, В.М. Тучкевич. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
A.F. Kardo-Sysoev. New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses. In: Ultra-Wideband Radar Technology, ed. by J.D. Taylor (Boca Raton--London--N.Y.--Washington, CRS Press, 2001) Chap. 9
И.В. Грехов, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков. ФТП, 37 (9), 1148 (2003)
I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Solid State Electron., 47, 1769 (2003)
X. Yang, Y. Li, H. Wang, Z. Li, Z. Ding. J. Appl. Phys., 109, 014917 (2011)
Y. Sharabani, Y. Rosenwaks, D. Eger. Phys. Rev. Appl., 4, 014015 (2015)
А.С. Кюрегян. ФТП, 51 (3), 359 (2017)
А.В. Горбатюк, П.Б. Родин. Радиотехника и электроника, 35 (6), 1336 (1990)
А.В. Горбатюк, Д.В. Гусин, Б.В. Иванов. ФТП, 47 (3), 373 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель