"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
Переводная версия: 10.1134/S1063782619070133
Корольков O.M.1, Козловский В.B.2, Лебедев A.A.3, Слепчук Н.1, Toompuu J.1, Rang T.1
1Tallinn University of Technology, Tallinn, Estonia
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Исследовано влияние низкотемпературного (до 600oС) изотермическoго и изохронного отжигов на изменение электрофизических характеристик, облученных JBS диодов Шоттки на основе n-4H-SiC. Облучение выполнялось электронами с энергией 0.9 МэВ дозой 1·1016 см-2. Показано, что основное восстановление прямых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик облученных диодов происходит при температурах отжига до 300oС. При увеличении температуры отжига до 500oС происходит отжиг практически 90% введенных облучением быстрыми электронами радиационных дефектов. Для использования в инженерии радиационных дефектов (Radiation Defect Engineering) рекомендуемые режимы стабилизирующего отжига могут составлять 500oС, 30 мин. Ключевые слова: карбид кремния, облучение электронами, радиационные дефекты, отжиг.
  1. V. Kozlovski, V. Abrosimova. Radiation Defect Engineering. Selected topics in electronics and systems (Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, World Scientific, 2005) v. 37
  2. А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский. ФТП, 34, 897 (2000)
  3. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
  4. П.А. Иванов, А.С. Потапов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 44 (6), 11 (2018)
  5. M. Weidner, T. Frank, G. Pensl, A. Kawasuso, H. Itoh, R. Krause-Rehberg. Physica, 308- 310, 633 (2001)
  6. K. Danno, T. Kimoto. J. Appl. Phys., 100, 113728 (2006)
  7. S.A. Reshanov, S. Beljakowa, B. Zippelius. Mater. Sci. Forum, 645- 648, 423 (2010)
  8. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2005)
  9. G. Ali eri, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, M.K. Linnarsson. J. Appl. Phys., 98, 043518 (2005)
  10. L. Storasta, J.P. Bergman, E. Janzen, A. Henzy. J. Appl. Phys., 96, 4909 (2004)
  11. P. Hazdra, S. Popelka. Mater. Sci. Forum, 897, 463 (2017)
  12. http://cree.com/
  13. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
  14. А.А. Лебедев, В.В. Козловский, А.М. Стрельчук, К.С. Давыдовская, А.Н. Якименко. Письма ЖТФ, 43 (22), 63 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.