Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
Корольков O.M.1, Козловский В.B.2, Лебедев A.A.3, Слепчук Н.1, Toompuu J.1, Rang T.1
1Tallinn University of Technology, Tallinn, Estonia
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Исследовано влияние низкотемпературного (до 600oС) изотермическoго и изохронного отжигов на изменение электрофизических характеристик, облученных JBS диодов Шоттки на основе n-4H-SiC. Облучение выполнялось электронами с энергией 0.9 МэВ дозой 1·1016 см-2. Показано, что основное восстановление прямых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик облученных диодов происходит при температурах отжига до 300oС. При увеличении температуры отжига до 500oС происходит отжиг практически 90% введенных облучением быстрыми электронами радиационных дефектов. Для использования в инженерии радиационных дефектов (Radiation Defect Engineering) рекомендуемые режимы стабилизирующего отжига могут составлять 500oС, 30 мин. Ключевые слова: карбид кремния, облучение электронами, радиационные дефекты, отжиг.
- V. Kozlovski, V. Abrosimova. Radiation Defect Engineering. Selected topics in electronics and systems (Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, World Scientific, 2005) v. 37
- А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский. ФТП, 34, 897 (2000)
- V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
- П.А. Иванов, А.С. Потапов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 44 (6), 11 (2018)
- M. Weidner, T. Frank, G. Pensl, A. Kawasuso, H. Itoh, R. Krause-Rehberg. Physica, 308- 310, 633 (2001)
- K. Danno, T. Kimoto. J. Appl. Phys., 100, 113728 (2006)
- S.A. Reshanov, S. Beljakowa, B. Zippelius. Mater. Sci. Forum, 645- 648, 423 (2010)
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2005)
- G. Ali eri, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, M.K. Linnarsson. J. Appl. Phys., 98, 043518 (2005)
- L. Storasta, J.P. Bergman, E. Janzen, A. Henzy. J. Appl. Phys., 96, 4909 (2004)
- P. Hazdra, S. Popelka. Mater. Sci. Forum, 897, 463 (2017)
- http://cree.com/
- V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
- А.А. Лебедев, В.В. Козловский, А.М. Стрельчук, К.С. Давыдовская, А.Н. Якименко. Письма ЖТФ, 43 (22), 63 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
