Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47740.9062

Переводная версия: 10.1134/S1063782619060034

Банщиков А.Г.¹, Илларионов Ю.Ю.^1,2, Векслер М.И.¹, Wachter S.², Соколов Н.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Технический университет гор. Вены, Гусхаусштрассе 27 Vienna University of Technology, Vienna, Austria

Email: vexler@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 10 января 2019 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено сравнение токов, протекающих в структурах металл/CaF₂/n-Si и металл/SiO₂/CaF₂/n-Si с одинаковой (около 1.5 нм) толщиной фторида в режиме обратного смещения. Показано, что в некотором диапазоне напряжений ток через двухслойную систему может оказаться заметно больше по величине. Такое несколько неожиданное поведение связывается с сосуществованием электронной и дырочной компонент тока, а также с особенностями формы SiO₂/CaF_2-барьера, через который происходит туннелирование. Представлены результаты измерений и поясняющие расчетные данные.

M. Sugiyama, M. Oshima. Microelectron. J., 27, 361 (1996)
S. Watanabe, M. Maeda, T. Sugisaki, K. Tsutsui. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (4B), 2637 (2005)
A. Huang, X. Zhang, Y. Li, M. Wang, Z. Xiao. J. Appl. Phys., 122, 195702 (2017)
E.M. Vogel, K.Z. Ahmed, B. Hornung, W.K. Henson, P.L. McLarty, G. Lucovsky, J.R. Hauser, J.J. Wortman. IEEE Trans. Electron Dev., 45 (6), 1350 (1998)
A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
S.E. Tyaginov, Yu.Yu. Illarionov, M.I. Vexler, M. Bina, J. Cervenka, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser. J. Comput. Electron., 13 (3), 733 (2014)
Ph. Avouris, R. Wolkow. Appl. Phys. Lett., 55 (11), 1074 (1989)
Ю.Ю. Илларионов, А.Г. Банщиков, Н.С. Соколов, S. Wachter, М.И. Векслер. Письма ЖТФ, 44 (24), 150 (2018)
C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2, гл. 9
B.C. Hsu, C.-Y. Liu, W.-T. Liu, H.-L. Chen. IEEE Trans. Electron Dev., 48 (8), 1747 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель