"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060162
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), "а", 18-02-00835 А
Подоскин А.А. 1, Романович Д.Н.1, Шашкин И.С. 1, Гаврина П.С. 1, Соколова З.Н. 1, Слипченко С.О. 1, Пихтин Н.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru, shashkin@mail.ioffe.ru, zina.sokolova@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Работа посвящена исследованию особенностей формирования высокодобротных замкнутых мод, работающих на эффекте полного внутреннего отражения, в прямоугольных резонаторах большого размера (сотни-тысячи длин волн) на основе лазерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs. В работе экспериментально исследованы особенности спектрального состава излучения и пространственных конфигураций модовых структур. Также рассмотрено влияние изменения накачки и температуры на модовый состав излучения.
  1. Wei-Hua Guo, Yong-Zhen Huang, Qiao-Yin Lu, Li-Juan Yu. IEEE J. Quant. Electron., 39 (12), 1563 (2003)
  2. M.Y. Tang, S.S. Sui, Y.D. Yang, J.L. Xiao, Y. Du, Y.Z. Huang. Opt. Express, 23 (21), 27739 (2015)
  3. H.T. Hattori. JOSA B, 25 (11), 1873 (2008)
  4. Y.D. Yang, Y.Z. Huang. IEEE J. Quant. Electron., 43 (6), 497 (2007)
  5. Y.D. Yang, Y.Z. Huang. J. Phys. D: Appl. Phys., 49 (25), 253001 (2016)
  6. A.W. Poon, F. Courvoisier, R.K. Chang. Optics Lett., 26 (9), 632 (2001)
  7. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Laser Phys., 24 (10), 105001 (2014)
  8. А.А. Подоскин, И.С. Шашкин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ЖТФ, 43 (2), 31 (2017)
  9. А.А. Подоскин, И.С. Шашкин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 49 (8), 1108 (2015)
  10. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Z.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
  11. P. Crump, G. Erbert, H. Wenzel, C. Frevert, C.M. Schultz, K.-H. Hasler, R. Staske, B. Sumpf, A. Maab dorf, F. Bugge, S. Knigge, G. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 19 (4), 1501211 (2013)
  12. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, Z.N. Sokolova, A.Y. Leshko, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45 (5), 663 (2011)
  13. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.