Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации
Переводная версия: 10.1134/S106378261906023X 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: sitnikov @isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
С применением метода in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследован процесс зарождения вакансионных островков на широких террасах поверхности Si(100). Определена температурная зависимость смещения центра зарождения вакансионного островка при нагреве образца постоянным электрическим током. На основе теоретической модели проведена оценка эффективного электрического заряда аддимеров в направлении поперек димерных рядов атомов поверхности. Эффективный заряд имеет положительный знак и не превышает 15 единиц элементарного заряда в температурном интервале 1020-1120oС.
- I.A. Blech, E.S. Meieran. J. Appl. Phys., 40 (2), 485 (1969)
- H. Yasunaga, A. Natori. Surf. Sci. Rep., 15 (6-7), 205 (1992)
- И.Е. Тамм. Журн. эксперим. и теорет. физики, 3, 34 (1933)
- D.I. Rogilo, L.I. Fedina, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev. Surf. Sci., 667, 1 (2018)
- G. Brocks, P.J. Kelly, R. Car. Phys. Rev. Lett., 66 (13), 1729 (1991)
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Microsc. Res. Techn., 20 (4), 341 (1992)
- D.I. Rogilo, L.I. Fedina, S.S. Kosolobov, B.S. Ranguelov, A.V. Latyshev. Phys. Rev. Lett., 111 (3), 036105 (2013)
- С. С. К. С.В. Ситников, А.В. Латышев. ФТП, 50, 607 (2016)
- R.M. Tromp, M.C. Reuter. Phys. Rev. Lett., 68 (6), 820 (1992)
- J.-F. Nielsen, J.P. Pelz, H. Hibino, C.-W. Hu, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. Lett., 87, 136103 (2001)
- S.V. Sitnikov, A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov. J. Cryst. Growth, 457, 196 (2017)
- S. Curiotto, P. Muller, A. El-Barraj, F. Cheynis, O. Pierre-Louis, F. Leroy. Appl. Surf. Sci., 469, 463 (2019)
- M. Ichikawa, T. Doi. Appl. Phys. Lett., 60 (9), 1082 (1992)
- Y.-W. Mo, M.G. Lagally. Surf. Sci., 248 (3), 313 (1991)
- W. Theis, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 76 (15), 2770 (1996)
- W.K. Burton, N. Cabrera, F.C. Frank. Phil. Trans. Royal Soc. (London) A Math. Phys. Eng. Sci., 243 (866), 299 (1951)
- M. Uwaha. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 62 (2), 58 (2016)
- I.V. Markov. Crystal Growth for Beginners. Foundations of Nucleation, Crystal Growth and Epitaxy (World Scientific, Singapore, 1995)
- S. Stoyanov. Surf. Sci., 416 (1-2), 200 (1998)
- B.S. Swartzentruber. Phys. Rev. Lett., 76 (3), 459 (1996)
- R. Tromp, M. Mankos. Phys. Rev. Lett., 81 (5), 1050 (1998)
- J.J. Metois, D.E. Wolf. Surf. Sci., 298 (1), 71 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
