Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 6 » Статья стр. 810
<<<>>>
Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении
DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47734.9050
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060095
Кожемяко А.В.1, Евсеев А.П.1,2, Балакшин Ю.В. 2, Шемухин А.А.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: anastasiia.kozhemyako@mail.ru, ифдфлырштн"пьфшдюсщь
Поступила в редакцию: 18 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
PDF версия
Проведено облучение наноструктурированного кремния ионами Si+ и He+ с энергиями 200 и 150 кэВ соответственно. Методом комбинационного рассеяния света исследовано разрушение структуры облученных образцов, накопление дефектов при различных дозах облучения. Показано, что пленки монокристаллического кремния аморфизуются под действием облучения при величине смещений на атом 0.7. Однако пористый кремний при величине смещений на атом 0.5 не аморфизуется полностью, в спектрах комбинационного рассеяния наблюдается слабый сигнал, соответствующий аморфной фазе кремния, и в то же время присутствует явный сигнал от кристаллической фазы кремния. Проведена оценка размеров нанокристаллитов в структуре пористого кремния при разных дозах облучения.
  1. K.A. Gonchar, A.A. Zubairova, A. Schleusener, L.A. Osminkina, V. Sivakov. Nanoscale Res. Lett., 11, 357 (2016)
  2. M.B. Gongalsky, Yu.V. Kargina, L.A. Osminkina, A.M. Perepukhov, M.V. Gulyaev, A.N. Vasiliev, Yu.A. Pirogov, A.V. Maximychev, V.Yu. Timoshenko. Appl. Phys. Lett., 107, 233702 (2015)
  3. R.S. Smerdov, Yu.M. Spivak, V.S. Levitsky, V.A. Moshnikov. IOP Conf. Series: J. Phys.: Conf. Ser., 1038, 012064 (2018)
  4. А.С. Леньшин. ФТП, 52 (3), 342 (2018)
  5. A.A. Shemukhin, Yu.V. Balakshin, V.S. Chernysh, A.S. Patrakeev, S.A. Golubkov, N.N. Egorov, A.I. Sidorov, B.A. Malyukov, V.N. Statsenko, V.D. Chumak. Techn. Phys. Lett., 38 (10), 907 (2012)
  6. V. Parkhutik. Solid-State Electron., 43 (6), 1121 (1999)
  7. Q. Ma, R. Xiong, Y.M. Huang. J. Luminesc., 131 (10), 2053 (2011)
  8. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  9. M. Saleem, M. Rafiq, S.-Y. Seo, K.H. Lee. Biosci. Rep., 36 (2), 1 (2016)
  10. P.N. Lim, T. Konishia, Z. Wang, J. Feng, L. Wang, J. Han, Z. Yang, E.S. Thian. Mater. Lett., 212, 90 (2018)
  11. W.Y. Tong, M.J. Sweetman, E.R. Marzouk, C. Fraser, T. Kuchel, N.H. Voelcker. Biomaterials, 74, 217 (2016)
  12. E. Tolstik, L.A. Osminkina, C. Matthaus, M. Burkhardt, K.E. Tsurikov, U.A. Natashina, V.Y. Timoshenko, R. Heintzmann, J. Popp, V. Sivakov. Nanomedicine: NBM, 12 (7), 1931 (2016)
  13. Ю.М. Спивак, А.О. Белорус, А.А. Паневин, С.Г. Журавский, В.А. Мошников, К. Беспалова, П.А. Сомов, Ю.М. Жуков, А.С. Комолов, Л.В. Чистякова, Н.Ю. Григорьева. ЖТФ, 88 (9), 1394 (2018)
  14. Song Bai, Ning Zhang, Chao Gao, Yujie Xiong. Nano Energy, 53, 296 (2018)
  15. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, D.R. Islamov. Phys. Reports, 613, 1 (2016)
  16. V.S. Vendamani, Z.Y. Dang, P. Ramana, A.P. Pathak, V.V. Ravi Kanth Kumar, M.B.H. Breese, S.V.S. Nageswara Rao. Nucl. Instr. Meth. B, 358, 105 (2015)
  17. Yin-Yu Chen, Der-Sheng Chao, Hsu-Sheng Tsai, Jenq-Horng Liang. Nucl. Instr. Meth. B, 372, 114 (2016)
  18. A.G. Hernandez, A.E. Escobosa-Echavarri a, Y. Kudriavtsev. Appl. Surf. Sci., 428, 1098 (2018)
  19. V.S. Vendamani, S.V.S. Nageswara Rao, A.P. Pathak. Nucl. Instr. Meth. B, 315, 188 (2013)
  20. S. Hamad, G.K. Podagatlapalli, V.S. Vendamani, S.V.S. Nageswara Rao, A.P. Pathak, S.P. Tewari, S. Venugopal Rao. J. Phys. Chem. C, 118 (13), 7139 (2014)
  21. F. Caridi, A. Picciotto, L. Vanzetti, E. Iacob, C. Scolaro. Radiation Phys. Chem., 115, 49 (2015)
  22. Li-Xin Yang, Yan-Meng Chao, Li Jia, Chao-Bo Li. Appl. Therm. Engin., 99, 253 (2016)
  23. A.E. Ieshkin, S.E. Svyakhovskiy, V.S. Chernysh. Vacuum, 148, 272 (2018)
  24. А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров. ФТП, 48 (4), 535 (2014)
  25. A.A. Shemukhin, A.V. Nazarov, Yu.V. Balakshin, V.S. Chernysh. Nucl. Instr. Meth. B, 354, 274 (2015)
  26. S.P. Low, N.H. Voelcker. In: Handbook of Porous Silicon, ed by L.T. Canham (Springer Int. Publ. Switzerland, 2014) p. 381
  27. В.А. Юзова, А.А. Левицкий, П.А. Харлашин. Журнал СФУ. Сер.: Техника и технологии, 4 (1), 92 (2011)
  28. Z.C. Feng, R. Tsu. Porous Silicon (Singapore, World Scientific Press, 2014)
  29. К.В. Карабешкин, П.А. Карасёв, А.И. Титов. ФТП, 47 (2), 206 (2013)
  30. R. Herino, G. Bomchil, K. Barla, C. Bertrand, J.L. Ginoux. J. Electrochem. Soc., 134 (8), 1994 (1987)
  31. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instr. Meth. B, 268, 1818 (2010)
  32. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon, N.Y., 1985)
  33. A.A. Shemukhin, Yu.V. Balakshin, P.N. Chernykh, V.S. Chernysh. Surface Investigation X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 7, 318 (2013)
  34. A.A. Shemukhin, Yu.V. Balakshin, A.P. Evseev, V.S. Chernysh. Nucl. Instr. Meth. B, 406, 507 (2017)
  35. Q. Nie, Z. Jiang, Z. Gan, S. Liu, H. Yan, H. Fang. J. Cryst. Growth, 488, 1 (2018)
  36. P. Petrik, O. Polgar, T. Lohner, M. Fried, N.Q. Khanh, J. Gyulai. Solid State Phenomena, 82- 84, 765 (2002)
  37. К.Д. Кушкина, А.В. Назаров, А.А. Шемухин, А.П. Евсеев. Прикл. физика, 2, 54 (2017)
  38. Yu.V. Balakshin, A.A. Shemukhin, A.V. Nazarov, A.V. Kozhemiako, V.S. Chernysh. Techn. Phys., 63 (12), 1861 (2018)
  39. R. Prabakaran, R. Kesavamoorthy, S. Amirthapandian, A. Ramanand. Mater. Lett., 58, 3745 (2004)
  40. T.A. Harriman, D.A. Lucca, J.-K. Lee, M.J. Klopfstein, K. Herrmann, M. Nastasi. Nucl. Instr. Meth. B, 267, 1232 (2009)
  41. K.D. Kushkina, A.A. Shemukhin, E.A. Vorobyeva, K.A. Bukunov, A.P. Evseev, A.A. Tatarintsev, K.I. Maslakov, N.G. Chechenin, V.S. Chernysh. Nucl. Instr. Meth. B, 430, 11 (2018)
  42. R. Prabakaran, R. Kesavamoorthy, S. Amirthapandian, Francis P. Xavier. Physica B: Condens. Matter, 337, 36 (3002)
  43. A. Aminzadeh, H. Sarikhani-fard. Spectrochimica Acta, Part A, 55, 1421 (1999)
  44. Д.И. Тетельбаум, А.А. Ежевский, А.Н. Михайлов. ФТП, 37 (11), 1380 (2003)
  45. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Solid State Commun., 39, 625 (1981)
  46. I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Solid State Commun., 58, 739 (1986)
  47. Dongsheng Xu, Guolin Guo, Linlin Gui, Youqi Tang, B.R. Zhang, G.G. Qin. J. Appl. Phys., 86, 2066 (1999)
  48. Y. Ymamura, H. Tawara. Energy Dependence of Ion-Induced Sputtering Yields from Monoatomic Solids at Normal Incidence (National Institute for Fusion Science, Chigusa-ku, Nagoya 464-01, Japan, 1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme