"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030230
Звонков Б.Н.1, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Дорохин М.В.1, Кудрин А.В.1, Калентьева И.Л. 1, Ларионова Е.А.1, Ковальский В.А.2, Солтанович О.А.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: zvonkov@nifti.unn.ru, vikhrova@nifti.unn.ru, danilov@nifti.unn.ru, istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Представлены результаты экспериментального изучения новой конструкции диодных гетероструктур с ферромагнитными слоями (Ga, Mn)As. Диодные структуры изготовлены сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного осаждения и содержат гетеропереходы (Ga, Mn)As/n-InGaAs. Исследованы электрические свойства диодов в магнитном поле, приложенном перпендикулярно плоскости p-n-перехода. Обнаружено отрицательное магнетосопротивление при температурах <50 K - меньше температуры Кюри (Ga, Mn)As, связанное с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря наличию ферромагнитного упорядочения и со снижением потенциального барьера на границе (Ga, Mn)As/n-InGaAs. Наблюдаемое отрицательное магнетосопротивление немонотонно зависит от величины прямого смещения с максимумом в области напряжения, близкого к высоте потенциального барьера p-n-перехода. Наличие максимума может быть связано с определяющим вкладом спин-зависимых сопротивления слоя (Ga, Mn)As и сопротивления на границе раздела (Ga, Mn)As/n-InGaAs в величину общего сопротивления структуры. Установлено, что зависимость магнетосопротивления от внешнего магнитного поля имеет гистерезисный вид, особенности которого обусловлены влиянием напряжений растяжения в слое (Ga, Mn)As, выращенном поверх релаксированного буфера InxGa1-xAs (содержание индия x~0.1).
  1. M. Bououdina, Y. Song, S. Azzaza. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-803581-8.02431-0
  2. M. Ciorga, A. Einwanger, U. Wurstbauer, D. Schuh, W. Wegscheider, D. Weiss. Phys. Rev. B, 79, 165321 (2009)
  3. F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. In: Handbook of Magnetic Materials, vol. 14, ed. by K.H.J. Buschow (Elsevier, Amsterdam, 2002) p. 1
  4. H. Ohno. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
  5. A.V. Kudrin, Yu.A. Danilov, V.P. Lesnikov, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, D.A. Pavlov, Y.V. Usov, I.N. Antonov, R.N. Kriukov, A.V. Alaferdov, N.A. Sobolov. J. Appl. Phys., 122 (18), 183901 (2017)
  6. N.T. Tu, P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Appl. Phys. Express, 11 (6), 063005 (2018)
  7. M. Ciorga, M. Schlapps, A. Einwanger, S. Geib ler, J. Sadowski, W. Wegscheider, D. Weiss. New J. Phys., 9, 351 (2007)
  8. T. Kita, M. Kohda, Y. Ohno, F. Matsukura, H. Ohno. Phys. Status Solidi C, 3 (12), 4164 (2006)
  9. H. Holmberg, N. Lebedeva, S. Novikov, P. Kuivalainen, M. Malfait, V.V. Moshchalkov. Phys. Status Solidi A, 204 (3), 791 (2007)
  10. H. Holmberg, N. Lebedeva, S. Novikov, P. Kuivalainen, M. Malfait, V.V. Moshchalkov. IEEE Trans. Magnetics, 42 (10), 2712 (2006)
  11. А.В. Кудрин, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, Е.И. Малышева. Письма ЖТФ, 37 (24), 57 (2011)
  12. I. vZutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Phys. Rev. Lett., 88, 066603 (2002)
  13. J. Fabian, I. Zutic, S. Das Sarma. Phys. Rev. B, 66, 165301 (2002)
  14. E. Comesana, M. Aldegunde, G.A. Gehring, A.J. Garcia-Loureiro. Proc. 2009 Spanish Conf. Electron Devices (Santiago de Compostela, 2009) p. 160
  15. B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Dorokhin, V.V. Podol'skii, E.S. Demidov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov. J. Opt. Technol., 75, 389 (2008)
  16. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, А.В. Кудрин, В.П. Лесников, В.В. Подольский. Нанотехника, N 1, 32 (2008)
  17. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФТТ, 52 (11), 2124 (2010)
  18. M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, Yu.A. Danilov, V.V. Podolskii, P.B. Demina, O.V. Vikhrova, E.I. Malysheva, M.V. Sapozhnikov. Int. J. Nanoscience, 6 (3), 221 (2007)
  19. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  20. J. Shiogai, M. Ciorga, M. Utz, D. Schuh, T. Arakawa, M. Kohda, K. Kobayashi, T. Ono, W. Wegscheider, D. Weiss, J. Nitta. Appl. Phys. Lett., 101, 212402 (2012)
  21. A.B. Pippard. Magnetoresistance in Metals (Cambridge University Press, 1989).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.