"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030047
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 16-02-00450-а
Байдусь Н.В.1, Кукушкин В.А. 2,3, Некоркин С.М.1, Круглов А.В.1,3, Реунов Д.Г.3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vakuk@appl.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Исследованы свойства квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной миграционно-стимулированной эпитаксии при пониженном давлении с применением субмонослойного осаждения. Длина волны их фотолюминесценции при 300 K находится в диапазоне 1.28-1.31 мкм, ею можно управлять путем изменения температуры роста и числа циклов осаждения квантовых точек. Максимальная поверхностная плотность квантовых точек 3·1010 см-2. Выращены структуры с 1-3 слоями квантовых точек с толщинами спейсерных слоев между ними 5-12 нм и селективным легированием последних (а также покровных слоев) углеродом (акцептор). Установлено, что фотолюминесценция квантовых точек характеризуется повышенной степенью поляризации в ортогональном плоскости структуры направлении, что должно благоприятствовать их применению для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов в светоизлучающих диодах Шоттки.
  1. С.А. Майер. Плазмоника: теория и приложения (М., Ижевск, R \& C Dynamics, 2011) гл. 2. [S.A. Maier. Plasmonics: Fundamentals and Applications (Springer Verlag, Berlin, 2007) chap. 2]
  2. A. Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 103 (8), 083548 (2008)
  3. Н.В. Байдусь, В.А. Кукушкин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин. ФТП, 50 (11), 1576 (2016)
  4. D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73 (4), 520 (1998)
  5. K.Y. Chuang, C.Y. Chen, T.E. Tzeng, J.Y. Feng, T.S. Lay. Physica E, 40 (6), 1882 (2008)
  6. P. Ridha, L. Li, A. Fiore, G. Patriarche, M. Mexis, P.M. Smowton. Appl. Phys. Lett., 91 (19), 191123 (2007)
  7. L.H. Li, M. Mexis, P. Ridha, M. Bozkurt, G. Patriarche, P.M. Smowton, P. Blood, P.M. Koenraad, A. Fiore. Appl. Phys. Lett., 95 (22), 221116 (2009)
  8. M. Usman. J. Appl. Phys., 110 (9), 094512 (2011)
  9. M. Usman, S. Heck, E. Clarke, P. Spencer, H. Ryu, R. Murray, G. Klimeck. J. Appl. Phys., 109 (10), 104510 (2011)
  10. M. Usman, T. Inoue, Y. Harda, G. Klimeck, T. Kita. Phys. Rev. B, 84 (11), 115321 (2011)
  11. Y. Ikeuchi, T. Inoue, M. Asada, Y. Harada, T. Kita, E. Taguchi, H. Yasuda. Appl. Phys. Express, 4 (6), 062001 (2011)
  12. М.М. Соболев, И.М. Гаджиев, И.О. Бакшаев, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов, Р.В. Золотарева, Е.Л. Портной. ФТП, 46 (1), 96 (2012)
  13. P. Ridha, L. Li, M. Rossetti, G. Patriarche, A. Fiore. Optical Quant. Electron., 40 (2-4), 239 (2008)
  14. P. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, Y. Nakata, T. Akiyama. Appl. Phys. Lett., 84 (11), 1820 (2004)
  15. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория поля (М., Наука, 1988). [L.D. Landau, E.M. Lifshitz. The Classical Theory of Fields (Oxford, Butterworth-Heinenann, 1996)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.