"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030229
Жуков Н.Д.1, Михайлов А.И.2, Мосияш Д.С.1
1OOO "Реф-Свет", Саратов, Россия
2Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

С помощью сканирующего туннельного микроскопа исследована полевая эмиссия электронов из отдельных зерен поверхности кремния и полупроводников AIIIBV - арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. По соответствию функциональной зависимости вольт-амперной характеристики теории определен механизм эмиссии: при напряжениях V<1 В - прямое туннелирование через обедненный или обогащенный приповерхностный слой, при V>1 В - туннельная эмиссия из приповерхностных электронных состояний. Получены значения полевого порога эмиссии в пределах (1-5)·106 В/см, что существенно меньше, чем для металлов и углерода. Определяющими факторами эмиссии являются эффекты Шоттки, локализации и размерного квантования легких" электронов в приповерхностной зоне полупроводников AIIIBV, наличие приповерхностного обеднения в кремнии. По полученным данным для величин полевого порога эмиссии наиболее эффективным эмиттером является антимонид индия в виде субмикронных частиц-зерен.
  1. Н.В. Егоров, Е.П. Шешин. Электронная эмиссия (М., Интеллект, 2011)
  2. Ю.B. Гуляев, Н.П. Абаньшин, Б.И. Горфинкель, С.П. Морев, А.Ф. Резчиков, Н.И. Синицын, А.Н. Якунин. Письма ЖТФ, 39 (11), 63 (2013)
  3. Е.И. Гольдман, Ю.B. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 44 (8), 1050 (2010)
  4. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  5. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 41 (9), 1135 (2007)
  6. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, Д.С. Мосияш. ФТП, 50 (7), 911 (2016)
  7. С.А. Рыков. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур (СПб., Наука, 2001)
  8. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  10. Н.Д. Жуков, Д.С. Мосияш, А.А. Хазанов, Н.П. Абаньшин. Прикл. физика, N 3, 93 (2015)
  11. Е.Г. Глуховской, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (14), 47 (2015)
  12. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.