Вышедшие номера
О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030229
Жуков Н.Д.1, Михайлов А.И.2, Мосияш Д.С.1
1OOO "Реф-Свет", Саратов, Россия
2Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

С помощью сканирующего туннельного микроскопа исследована полевая эмиссия электронов из отдельных зерен поверхности кремния и полупроводников AIIIBV - арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. По соответствию функциональной зависимости вольт-амперной характеристики теории определен механизм эмиссии: при напряжениях V<1 В - прямое туннелирование через обедненный или обогащенный приповерхностный слой, при V>1 В - туннельная эмиссия из приповерхностных электронных состояний. Получены значения полевого порога эмиссии в пределах (1-5)·106 В/см, что существенно меньше, чем для металлов и углерода. Определяющими факторами эмиссии являются эффекты Шоттки, локализации и размерного квантования легких" электронов в приповерхностной зоне полупроводников AIIIBV, наличие приповерхностного обеднения в кремнии. По полученным данным для величин полевого порога эмиссии наиболее эффективным эмиттером является антимонид индия в виде субмикронных частиц-зерен.