"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами 132Xe26+ с энергией 167 МэВ
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030163
Привезенцев В.В.1, Куликаускас В.С.2, Скуратов В.А.3, Зилова О.С.4, Бурмистров А.А.4, Пресняков М.Ю.5, Горячев А.В.6
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2НИИЯФ МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
4Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
5Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
6ООО "Cи Эн Эл Девайсез", Зеленоград, Москва, Россия
Email: privezentsev@ftian.ru
Поступила в редакцию: 4 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Подложки монокристаллического n-Si с ориентацией (100) были имплантированы ионами 64Zn+ с дозой 5·1016 см-2 и энергией 50 кэВ. Затем образцы подвергались облучению при комнатной температуре ионами 132Xe26+ с энергией 167 МэВ в диапазоне флюенсов от 1·1012 до 5·1014 см-2. Визуализация поверхности и поперечного сечения образцов проводилась с помощью растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Распределение имплантированного цинка и его оксида исследовалось методом времяпролетной вторично-ионной масс. После облучения Xe на поверхности образца обнаружены кластеры, состоящие из смеси Zn·ZnO, и поверхностные поры. В подповерхностном слое аморфизованного кремния зафиксированы фазы цинка и его оксида. После облучения Xe с флюенсом 5·1014 см-2 кластеры цинка или его оксида используемыми методами исследований в образцах не обнаружены.
  1. Functional Nanometer-Sized Clusters of Transition Metals: Synthesis, Properties and Applications (RSC Smart Materials Series), ed. by W. Chen and S. Chen (Royal Society of Chemistry, 2014)
  2. H. Amekura, Y. Takeda, N. Kishimoto. Mater. Lett., 222, 96 (2011)
  3. Y.Y. Shen, X.D. Zhang, D.C. Zhang, Y.H. Xue, L.H. Zhang, C.L. Liu. Mater. Lett., 65, 2966 (2011)
  4. V.V. Privezentsev, N.Yu. Tabachkova, K.B. Eidelman, S.V. Ksenich. Bull. Rus. Acad. Sci.: Phys., 80, 1421 (2016)
  5. D. Zatsepin, A. Zatsepin, D. Boukhvalov, E. Kurmaev, Z. Pchelkina, Z. Gavrilov. J. Non-Cryst. Solids, 432, 183 (2016)
  6. J.F. Ziegler, J.P. Biersack. SRIM 2013 (http://www.srim.org)
  7. C. D'Orleans, J. Stoquert, C. Estourne's, C. Cerruti, J. Grob, J. Guille, F. Haas, D. Muller, M. Richard-Plouet. Phys. Rev. B, 67, 220101R (2003). Erratum Phys. Rev. B, 68, 029903 (2003)
  8. F.F. Komarov, O.A. Milchanin, V.A. Skuratov, M.A. Mokhovikov, A. Janse Van Vuuren, J.N. Neethling, E. Wendler, L.A. Vlasukova, I.N. Parkhomenko, B.N. Yuvchenko. Bull. Rus. Acad. Sci.: Phys., 80, 141 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.