"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесценция кристаллов ZnSe<Al> : Yb при 4.2 K

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47283.8792

Переводная версия: 10.1134/S1063782619030114

Махний В.П.¹, Вахняк Н.Д.², Кинзерская О.В.¹, Пирятинский Ю.П.³

¹Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine

²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

³Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: oksanakinzerska@gmail.com

Поступила в редакцию: 7 декабря 2017 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Установлено, что легирование кристаллов ZnSe<Al> иттербием из паровой фазы приводит к появлению в спектрах низкотемпературной люминесценции двух новых полос. Излучение в области энергий 1.15-1.35 эВ обусловлено переходами в ионе Yb³⁺, а краевая полоса - переходами свободных электронов на акцепторные уровни неконтролируемых примесей Li с участием LO-фононов.

А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений А^IIB^VI (М., Мир, 1986)
Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
Ю.Ф. Ваксман. Автореф. докт. дис. (Черновцы, ЧДУ, 1993)
Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков. Селенид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1992)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
С.С. Вильгинская, В.И. Олешко, С.Г. Горинас. Изв. вузов. Физика, 1/2, 138 (2011)
V.P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, I.M. Senko. Telecommnications and Radio Engin., 75 (3), 279 (2016)
Е.И. Поздняков, В.А. Воробьев, О.Я. Манаширов. Матер. электрон. техники, 2, 19 (2013)
В.Ф. Агекян, Н.Р. Григорьева. Люминесценция полупроводниковых кристаллов (СПб., СПбГУ, 2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель