Вышедшие номера
Люминесценция кристаллов ZnSe<Al> : Yb при 4.2 K
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030114
Махний В.П.1, Вахняк Н.Д.2, Кинзерская О.В.1, Пирятинский Ю.П.3
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: oksanakinzerska@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Установлено, что легирование кристаллов ZnSe<Al> иттербием из паровой фазы приводит к появлению в спектрах низкотемпературной люминесценции двух новых полос. Излучение в области энергий 1.15-1.35 эВ обусловлено переходами в ионе Yb3+, а краевая полоса - переходами свободных электронов на акцепторные уровни неконтролируемых примесей Li с участием LO-фононов.
  1. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений АIIBVI (М., Мир, 1986)
  2. Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
  3. Ю.Ф. Ваксман. Автореф. докт. дис. (Черновцы, ЧДУ, 1993)
  4. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков. Селенид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1992)
  5. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  6. С.С. Вильгинская, В.И. Олешко, С.Г. Горинас. Изв. вузов. Физика, 1/2, 138 (2011)
  7. V.P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, I.M. Senko. Telecommnications and Radio Engin., 75 (3), 279 (2016)
  8. Е.И. Поздняков, В.А. Воробьев, О.Я. Манаширов. Матер. электрон. техники, 2, 19 (2013)
  9. В.Ф. Агекян, Н.Р. Григорьева. Люминесценция полупроводниковых кристаллов (СПб., СПбГУ, 2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.