Вышедшие номера
Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In0.2Ga0.8As
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030205
Виниченко А.Н.1, Сафонов Д.А.1, Каргин Н.И.1, Васильевский И.С.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: safonov.dan@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Впервые реализованы и исследованы метаморфные глубокие квантовые ямы MHEMT In0.2Ga0.8As/ In0.2Al0.8As (глубина 0.7 эВ для Gamma-электронов) с различной конструкцией метаморфного буфера. Проведен сравнительный анализ электронных свойств метаморфной MHEMT- и псевдоморфной РНЕМТ-структур при одинаковом легировании. Обнаружено увеличение подвижности и концентрации электронов в интервале температур 4-300 K в МНЕМТ-структуре с линейным метаморфным буфером по сравнению с РНЕМТ-структурой, что связано c увеличением глубины квантовой ямы. Из низкотемпературного магнетотранспорта обнаружено, что в МНЕМТ-структуре существенно снижается квантовое время релаксации импульса за счет усиления механизмов рассеяния на малые углы на структурных дефектах и неоднородностях, при этом доминирующим в структурах обоих типов является рассеяние на удаленной ионизованной примеси.