Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In0.2Ga0.8As
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030205 
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 
Email: safonov.dan@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
Впервые реализованы и исследованы метаморфные глубокие квантовые ямы MHEMT In0.2Ga0.8As/ In0.2Al0.8As (глубина 0.7 эВ для Gamma-электронов) с различной конструкцией метаморфного буфера. Проведен сравнительный анализ электронных свойств метаморфной MHEMT- и псевдоморфной РНЕМТ-структур при одинаковом легировании. Обнаружено увеличение подвижности и концентрации электронов в интервале температур 4-300 K в МНЕМТ-структуре с линейным метаморфным буфером по сравнению с РНЕМТ-структурой, что связано c увеличением глубины квантовой ямы. Из низкотемпературного магнетотранспорта обнаружено, что в МНЕМТ-структуре существенно снижается квантовое время релаксации импульса за счет усиления механизмов рассеяния на малые углы на структурных дефектах и неоднородностях, при этом доминирующим в структурах обоих типов является рассеяние на удаленной ионизованной примеси.
- S. Chaturvedi, S.L. Badnikar, A.A. Naik. 2017 IEEE MTT-S Int. Microwave and RF Conf. (Ahmedabad, India, 2017)
- K. Wang, Y. Yan, X. Liang. 2018 IEEE MTT-S Int. Wireless Symp. (Chengdu, China, 2018)
- T. Paul, M. Harinath, S.K. Garg. 2017 IEEE MTT-S Int. Microwave and RF Conf. (Ahmedabad, India, 2017)
- M. Kasu, S. Fujita, A. Sasaki. J. Appl. Phys., 66, 3042 (1989)
- N. Chand, T. Henderson, J. Klem, W. Ted Masselink, R. Fischer, Y.-C. Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 30, 4481 (1984)
- M.E. Rudinsky, S.Yu. Karpov, H. Lipsanen, A.E. Romanov. Mater. Phys. Mechanics, 24, 278 (2015)
- H. Sari, H.H. Wieder. J. Appl. Phys., 85, 3380 (1999)
- P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
- A. Malinin, H. Tomozawa, T. Hashizume, H. Hasegawa. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1138 (1995)
- S. Adachi. Physical properties of III--V semiconductor compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP (Chichester, UK, John Wiley \& Sons, 1992)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
- R.T. Webster, S. Wu, A.F.M. Anwar. IEEE Electron Dev. Lett., 21, 193 (2000)
- G. Berthold, E. Zanoni, C. Canali, M. Pavesi, M. Pecchini, M. Manfredi, S.R. Bahl, J.A. del Alamo. IEEE Trans. Electron Dev., 42, 752 (1995)
- K. Kalna, A. Asenov. Solid-State Electron., 48, 1223 (2004)
- P. Win, Y. Cordier, Y. Druelle, C. Bouillet, J. Favre, A. Cappy. Microelectronic Engin., 19, 317 (1992)
- В.А. Кульбачинский, Л.Н. Овешников, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев. ФТП, 49, 204 (2015)
- N.A. Yuzeeva, A.V. Sorokoumova, R.A. Lunin, L.N. Oveshnikov, G.B. Galiev, E.A. Klimov, D.V. Lavruchin, V.A. Kulbachinskii. J. Low Temp. Phys., 185, 701 (2016)
- E. Diez, Y.P. Chen, S. Avesque, M. Hilke, E. Peled, D. Shahar, J.M. Cervero, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 88, 052107 (2006)
- D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev. Solid-State Electron., 129, 66 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
