"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In0.2Ga0.8As
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030205
Виниченко А.Н.1, Сафонов Д.А.1, Каргин Н.И.1, Васильевский И.С.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: safonov.dan@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Впервые реализованы и исследованы метаморфные глубокие квантовые ямы MHEMT In0.2Ga0.8As/ In0.2Al0.8As (глубина 0.7 эВ для Gamma-электронов) с различной конструкцией метаморфного буфера. Проведен сравнительный анализ электронных свойств метаморфной MHEMT- и псевдоморфной РНЕМТ-структур при одинаковом легировании. Обнаружено увеличение подвижности и концентрации электронов в интервале температур 4-300 K в МНЕМТ-структуре с линейным метаморфным буфером по сравнению с РНЕМТ-структурой, что связано c увеличением глубины квантовой ямы. Из низкотемпературного магнетотранспорта обнаружено, что в МНЕМТ-структуре существенно снижается квантовое время релаксации импульса за счет усиления механизмов рассеяния на малые углы на структурных дефектах и неоднородностях, при этом доминирующим в структурах обоих типов является рассеяние на удаленной ионизованной примеси.
  1. S. Chaturvedi, S.L. Badnikar, A.A. Naik. 2017 IEEE MTT-S Int. Microwave and RF Conf. (Ahmedabad, India, 2017)
  2. K. Wang, Y. Yan, X. Liang. 2018 IEEE MTT-S Int. Wireless Symp. (Chengdu, China, 2018)
  3. T. Paul, M. Harinath, S.K. Garg. 2017 IEEE MTT-S Int. Microwave and RF Conf. (Ahmedabad, India, 2017)
  4. M. Kasu, S. Fujita, A. Sasaki. J. Appl. Phys., 66, 3042 (1989)
  5. N. Chand, T. Henderson, J. Klem, W. Ted Masselink, R. Fischer, Y.-C. Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 30, 4481 (1984)
  6. M.E. Rudinsky, S.Yu. Karpov, H. Lipsanen, A.E. Romanov. Mater. Phys. Mechanics, 24, 278 (2015)
  7. H. Sari, H.H. Wieder. J. Appl. Phys., 85, 3380 (1999)
  8. P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  9. A. Malinin, H. Tomozawa, T. Hashizume, H. Hasegawa. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1138 (1995)
  10. S. Adachi. Physical properties of III--V semiconductor compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP (Chichester, UK, John Wiley \& Sons, 1992)
  11. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  12. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
  13. R.T. Webster, S. Wu, A.F.M. Anwar. IEEE Electron Dev. Lett., 21, 193 (2000)
  14. G. Berthold, E. Zanoni, C. Canali, M. Pavesi, M. Pecchini, M. Manfredi, S.R. Bahl, J.A. del Alamo. IEEE Trans. Electron Dev., 42, 752 (1995)
  15. K. Kalna, A. Asenov. Solid-State Electron., 48, 1223 (2004)
  16. P. Win, Y. Cordier, Y. Druelle, C. Bouillet, J. Favre, A. Cappy. Microelectronic Engin., 19, 317 (1992)
  17. В.А. Кульбачинский, Л.Н. Овешников, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев. ФТП, 49, 204 (2015)
  18. N.A. Yuzeeva, A.V. Sorokoumova, R.A. Lunin, L.N. Oveshnikov, G.B. Galiev, E.A. Klimov, D.V. Lavruchin, V.A. Kulbachinskii. J. Low Temp. Phys., 185, 701 (2016)
  19. E. Diez, Y.P. Chen, S. Avesque, M. Hilke, E. Peled, D. Shahar, J.M. Cervero, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 88, 052107 (2006)
  20. D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev. Solid-State Electron., 129, 66 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.