Особенности свойств редкоземельных полупроводников
Каминский В.В.1, Шаренкова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir .kaminski@mail.ioff e.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Показано, что уникальные особенности физических свойств редкоземельных полупроводниковых соединений имеют в своей основе малые величины ионизационных потенциалов редкоземельных элементов в них. Причиной этого является наличие 4f-оболочек в электронной структуре элементов.
- A. Jayaraman, V. Narayanamurti, E. Bucher, R.G. Maines. Phys. Rev. Lett., 25 (20), 1430 (1970)
- В.В. Каминский, А.А. Виноградов, Н.Н. Степанов, И.А. Смирнов. Письма ЖТФ, 9 (10), 624 (1983)
- В.П. Жузе, А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, Т.И. Комарова, В.М. Сергеева. ФТТ, 6 (1), 268 (1964)
- В.В. Каминский, А.В. Голубков. ФТТ, 21 (9), 2805 (1979)
- М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ЖТФ, 70 (5), 136 (2000)
- С.А. Казаков, В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова. Научное приборостроение, 25 (3), 116 (2015)
- А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М.-Л., АН СССР, 1957)
- К. Тейлор, М. Дарби. Физика редкоземельных соединений (М., Мир, 1974) с. 20. [Пер. с англ.: K.N.R. Taylor, M.I. Darby. Physics of Rare Earth Solids (Chapman and Hall LTD, London, 1972)]
- В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (Екатеринбург, УрО РАН, 2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.