"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности свойств редкоземельных полупроводников
Переводная версия: 10.1134/S106378261902012X
Каминский В.В.1, Шаренкова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir .kaminski@mail.ioff e.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Показано, что уникальные особенности физических свойств редкоземельных полупроводниковых соединений имеют в своей основе малые величины ионизационных потенциалов редкоземельных элементов в них. Причиной этого является наличие 4f-оболочек в электронной структуре элементов.
  1. A. Jayaraman, V. Narayanamurti, E. Bucher, R.G. Maines. Phys. Rev. Lett., 25 (20), 1430 (1970)
  2. В.В. Каминский, А.А. Виноградов, Н.Н. Степанов, И.А. Смирнов. Письма ЖТФ, 9 (10), 624 (1983)
  3. В.П. Жузе, А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, Т.И. Комарова, В.М. Сергеева. ФТТ, 6 (1), 268 (1964)
  4. В.В. Каминский, А.В. Голубков. ФТТ, 21 (9), 2805 (1979)
  5. М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ЖТФ, 70 (5), 136 (2000)
  6. С.А. Казаков, В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова. Научное приборостроение, 25 (3), 116 (2015)
  7. А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М.-Л., АН СССР, 1957)
  8. К. Тейлор, М. Дарби. Физика редкоземельных соединений (М., Мир, 1974) с. 20. [Пер. с англ.: K.N.R. Taylor, M.I. Darby. Physics of Rare Earth Solids (Chapman and Hall LTD, London, 1972)]
  9. В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (Екатеринбург, УрО РАН, 2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.