"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020222
Соболев Н.А.1, Александров О.В.2, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Калядин А.Е.1, Паршин Е.О.3, Мелесов Н.С.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Установлено, что имплантация выращенного методом Чохральского кремния p-типа проводимости ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 2.5·1014 см-2 не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. При последующем высокотемпературном отжиге имплантированных образцов происходит трансформация электрически активных акцепторных центров. Их концентрация и пространственное распределение зависят от температуры отжига. Обсуждаются возможные факторы, определяющие процесс их формирования.
  1. L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
  2. Н.А. Соболев. ФТП, 10, 23 (2010)
  3. N.A. Sobolev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtel`makh, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina. Phys. Status Solidi A, 214, 1700317 (2017)
  4. N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, V.V. Emtsev, M.I. Makovijchuk, A.V. Merkulov, E.O. Parshin, D.S. Poloskin, E.I. Shek. Dif. Def. Data, Solid State Data B, Sol. St. Phenomena, 47-48, 299 (1996)
  5. О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
  6. В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, Й. Михель, Л.С. Кимерлинг. ФТП, 33, 649 (1999)
  7. О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 134 (2002)
  8. О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев. ФТП, 39, 776 (2005)
  9. Н.А. Соболев, Д.В. Данилов, О.В. Александров, А.С. Лошаченко, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, И.Н. Трапезникова. ФТП, 49, 418 (2015)
  10. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, под ред. С.М. Рывкина (М., Радио и связь, 1981)
  11. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. B, 268, 1818 (2010)
  12. L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraux. Material analysis by ion channeling, (N.Y., Academic Press, 1982) Chap. 5
  13. V.V. Emtsev, jr, C.A.J. Ammerlaan, B.A. Andreev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. Physica B, 308-310, 350 (2001)
  14. J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
  15. Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ming Li, Duanlin Que. Mater. Sci. Semicond. Process., 9, 110 (2006)
  16. В.В. Емцев, Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТП, 28, 1084 (1994)
  17. О.В. Александров, В.В. Козловский. ФТП, 42, 262 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.