"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
Соболев Н.А.1, Александров О.В.2, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Калядин А.Е.1, Паршин Е.О.3, Мелесов Н.С.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Установлено, что имплантация выращенного методом Чохральского кремния p-типа проводимости ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 2.5·1014 см-2 не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. При последующем высокотемпературном отжиге имплантированных образцов происходит трансформация электрически активных акцепторных центров. Их концентрация и пространственное распределение зависят от температуры отжига. Обсуждаются возможные факторы, определяющие процесс их формирования.
  • L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
  • Н.А. Соболев. ФТП, 10, 23 (2010)
  • N.A. Sobolev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtel`makh, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina. Phys. Status Solidi A, 214, 1700317 (2017)
  • N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, V.V. Emtsev, M.I. Makovijchuk, A.V. Merkulov, E.O. Parshin, D.S. Poloskin, E.I. Shek. Dif. Def. Data, Solid State Data B, Sol. St. Phenomena, 47-48, 299 (1996)
  • О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
  • В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, Й. Михель, Л.С. Кимерлинг. ФТП, 33, 649 (1999)
  • О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 134 (2002)
  • О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев. ФТП, 39, 776 (2005)
  • Н.А. Соболев, Д.В. Данилов, О.В. Александров, А.С. Лошаченко, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, И.Н. Трапезникова. ФТП, 49, 418 (2015)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, под ред. С.М. Рывкина (М., Радио и связь, 1981)
  • J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. B, 268, 1818 (2010)
  • L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraux. Material analysis by ion channeling, (N.Y., Academic Press, 1982) Chap. 5
  • V.V. Emtsev, jr, C.A.J. Ammerlaan, B.A. Andreev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. Physica B, 308-310, 350 (2001)
  • J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
  • Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ming Li, Duanlin Que. Mater. Sci. Semicond. Process., 9, 110 (2006)
  • В.В. Емцев, Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТП, 28, 1084 (1994)
  • О.В. Александров, В.В. Козловский. ФТП, 42, 262 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.