Вышедшие номера
Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020222
Соболев Н.А.1, Александров О.В.2, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Калядин А.Е.1, Паршин Е.О.3, Мелесов Н.С.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Установлено, что имплантация выращенного методом Чохральского кремния p-типа проводимости ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 2.5·1014 см-2 не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. При последующем высокотемпературном отжиге имплантированных образцов происходит трансформация электрически активных акцепторных центров. Их концентрация и пространственное распределение зависят от температуры отжига. Обсуждаются возможные факторы, определяющие процесс их формирования.