Исследовано влияние условий постимплантационного отжига кремния, имплантированного ионами германия, на образование люминесцентных центров. Измерения с помощью метода обратного резерфордовского рассеяния ионов средней и высокой энергий показали, что имплантация ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 1.5·10¹⁴ см^-2 не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. Обнаружено, что последующий высокотемпературный отжиг имплантированных образцов в хлорсодержащей атмосфере при 1100^oС в течение 0.5-1.5 ч приводит к образованию так называемых D1 и D2 линий дислокационной люминесценции с длинами волн 1.54 и 1.42 мкм. При увеличении времени отжига интенсивность линии D1 уменьшается, а D2 - остается постоянной, но во всех спектрах доминирует D1 линия. Обсуждаются возможные факторы, приводящие к снижению интенсивности D1 линии, в частности диффузия атомов германия и образование твердого раствора кремний-германий.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.