Вышедшие номера
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020234
Соболев Н.А. 1, Калядин А.Е. 1, Сахаров В.И. 1, Серенков И.Т. 1, Шек Е.И. 1, Паршин Е.О.2, Мелесов Н.С.2, Симакин С.Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru, iosh_q@mail.ru, r.ilin@mail.ioffe.ru, shek@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Исследовано влияние условий постимплантационного отжига кремния, имплантированного ионами германия, на образование люминесцентных центров. Измерения с помощью метода обратного резерфордовского рассеяния ионов средней и высокой энергий показали, что имплантация ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 1.5·1014 см-2 не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. Обнаружено, что последующий высокотемпературный отжиг имплантированных образцов в хлорсодержащей атмосфере при 1100oС в течение 0.5-1.5 ч приводит к образованию так называемых D1 и D2 линий дислокационной люминесценции с длинами волн 1.54 и 1.42 мкм. При увеличении времени отжига интенсивность линии D1 уменьшается, а D2 - остается постоянной, но во всех спектрах доминирует D1 линия. Обсуждаются возможные факторы, приводящие к снижению интенсивности D1 линии, в частности диффузия атомов германия и образование твердого раствора кремний-германий.