Методом реактивного магнетронного распыления на пленочных подложках из полиэтилентерефталата при комнатной температуре получены тонкие пленки оксида индия и олова. Минимум удельного сопротивления пленок оксида индия и олова, полученных при комнатной температуре, составил 4.5 · 10^-4 Ом · см. Лазерный отжиг пленок оксида индия и олова толщиной от 140 до 600 нм увеличивает их проводимость от 10 до 24% в зависимости от плотности энергии на пленке и дозы облучения. Установлено, что лазерный отжиг пленок толщиной до 250 нм эффективен при плотности энергии в диапазоне от 12 до 35 мДж/см². Пленки толщиной от 390 до 600 нм необходимо отжигать лазерным излучением с плотностью энергии не менее 46 мДж/см². Рассмотрена модельная задача, учитывающая влияние лучистого охлаждения и теплообмена пленки и подложки на изменение температуры пленки во времени в процессе лазерного отжига. Было использовано одномерное уравнение теплопроводности для двухслойной среды. Рассчитаны максимальные напряжения в пленке оксида индия и олова при различных режимах отжига.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.