Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47090.8799

Переводная версия: 10.1134/S1063782619020131

Карандашев С.А.¹, Матвеев Б.А.¹, Ременный М.А.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²ООО "Иоффе ЛЕД", Санкт-Петербург, Россия Ioffe LED ltd., St.-Petersburg, Russia

Email: ioffeled@mail.r u

Поступила в редакцию: 12 декабря 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

PDF версия

Приводится обзор результатов, полученных при исследовании светодиодов на основе гетероструктур с активной областью из InAs, выращенных методами жидкофазной эпитаксии и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, за последние 10 лет. Проводится анализ картины ближнего поля, ватт-амперных, вольт-амперных характеристик и квантового выхода светодиодов, имеющих конструкцию с точечным контактом и флип-чип, в широком диапазоне температур.

J. Hodgkinson, R.P. Tatam. Meas. Sci. Technol., 24, 012004 (2013)
Б.А. Матвеев. Фотоника, 6 (48), 80 (2014)
X. Zhou, X. Meng, A.B. Krysa, J.R. Willmott, J.S. Ng, Ch.H. Tan. IEEE Sens. J., 15 (10), 5555 (2015)
D. Zymelka, B. Matveev, S. Aleksandrov, G. Sotnikova, G. Gavrilov, M. Saadaoui. IOP J. Flexible Printed Electronics, 2, 045006 (2017). DOI: 10.1088/2058-8585/aa900a
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Н.М. Стусь. ФТП, 23 (1), 592 (1989)
B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remenyi, N.M. Stus', A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, V.G. Polovinkin. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 891, 9 (2006)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 42 (6), 641 (2008)
М.М. Григорьев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 45 (10), 1386 (2011)
Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ФТП, 45 (4), 554 (2011)
М.М. Григорьев, П.А. Алексеев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 47 (1), 30 (2013)
В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев, В.В. Шерстнев, А.П. Астахова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43 (4), 522 (2009)
Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г. Карпухина, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Прикл. физика, N 6, 47 (2014)
P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 78, 249 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2016.08.013
А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, А.Е. Черняков. ФТП, 51 (2), 269 (2017)
P. Santhanam, D. Huang, R.J. Ram, M.A. Remennyi, B.A. Matveev. Appl. Phys. Lett., 103 (19), 183513 (2013). DOI: 10.1063/1.4828566
B.A. Matveev, A.V. Ankudinov, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L'vova, M.A. Remennyy, A.Yu. Rybal'chenko, N.M. Stus'. Proc. SPIE, 7597, 75970G (2010)
С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, В.И. Ратушный, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ЖТФ, 84 (11), 52 (2014)
Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. Оптический журн., 79 (9), 60 (2012)
В.Н. Кабаций. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 4, 30 (2008)
B. Matveev, M. Remennyy, S. Karandashev, K. Keranen, H. Saloniemi, J. Ollila, T. Kuusela, I. Kauppinen. Proc. IMCS 2012 --- 14th Intern. Meeting on Chemical Sensors (Nurnberg/Nuremberg, Germany, 2012) p. 241. DOI: 10.5162/IMCS2012/2.5.5
Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Сб. тез. Росс. конф. и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники ( с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2017 (Новосибирск, 2017) с. 18. ISBN 978-5-4437-0673-3
Н.С. Аверкиев, А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, А.Ю. Кислякова, А.М. Монахов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43 (1), 124 (2009)
А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. ФТП, 44 (2), 278 (2010)
Н.К. Жумашев, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, Н.Д. Стоянов, С.С. Кижаев, Т.И. Гурина, А.П. Астахова, А.В. Черняев, С.С. Молчанов, Х. Липсанен, Х.М. Салихов, В.Е. Бугров. Науч.-техн. вестн. информационных технологий, механики и оптики, 16 (1), 76 (2016)
К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.А. Семакова, М.П. Михайлова, Н.Д. Стоянов, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, А.П. Астахова, А.В. Черняев, H. Lipsanen, В.Е. Бугров. ФТП, 51 (2), 247 (2017)
А.А. Петухов, Н.Д. Ильинская, С.С. Кижаев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 45 (11), 1560 (2011)
С.С. Кижаев, К.В. Калинина, А.А. Петухов, Т.И. Гурина, А.Н. Миронова, А.В. Черняев, Н.Д. Стоянов, Х.М. Салихов. Тр. 2-й Российско-Белорусской науч.-техн. конф. "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение" им. О.В. Лосева (Н. Новгород, 2015) с. 163. ISBN 978-5-9903092-3-8
N.D. Stoaynov, K.M. Salikhov, K.V. Kalinina, B.E. Zhurtanov, S.S. Kizhaev. Proc. SPIE, 8257, 82571E (2012)
N.D. Stoyanov, K.M. Salikhov, K.V. Kalinina, S.S. Kizhaev, A.V. Chernyaev. Proc. SPIE, 8982, 89821A (2014)
О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Е.А. Ковалишина, А.С. Петров. Прикл. физика, N 4, 93 (2014)
K. Shim. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 011201 (2016)
B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remenyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005)
М. Айдаралиев, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26 (2), 246 (1992)
Я.Я. Кудрик, А.В. Зиновчук. Письма ЖТФ, 38 (10), 14 (2012)
E.F. Schubert. Light-Emitting Diodes, 2nd edn (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 2006)
P. Santhanam, D.J. Gray, jr., R.J. Ram. Phys. Rev. Lett., 108, 097403 (2012)
P. Santhanam, D. Huang, D.J. Gray, jr., R.J. Ram. Proc. SPIE, 8638, 863807 (2013). DOI: 10.1117/12.2005093
http://www.matprop.ru/InAs\_bandstr
S. Rathgeb, J.-P. Moeglin, A. Boffy, M. Pasquinelli, O. Palais. Appl. Phys. Lett., 89, 022106 (2006)
V.K. Malyutenko, S.S. Bolgov, A.D. Podoltsev. Appl. Phys. Lett., 97 (25), 251110 (2010)
K. Keranen, J. Ollila, H. Saloniemi, B. Matveev, J. Raittila, A. Helle, I. Kauppinen, T. Kuusela, L. Pierno, P. Karioja, M. Karppinen. Procedia Engin., 47, 1438 (2012)
K. Keranen, K. Kautio, J. Ollila, M. Heikkinen, I. Kauppinen, T. Kuusela, B. Matveev, M.E. Mc Nie, R.M. Jenkins, P. Karioja. Proc. SPIE, 7607, 760714 (2010)
P. Karioja, K. Keranen, K. Kautio, J. Ollila, M. Heikkinen, I. Kauppinen, T. Kuusela, B. Matveev, M.E. Mc Nie, R.M. Jenkins, J. Palve. Proc. SPIE, 7726, 77260H (2010)
T. Kuusela, J. Peura, B.A. Matveev, M.A. Remennyy, N.M. Stus'. Vibrational Spectroscopy, 51 (2), 289 (2009)
G.Yu. Sotnikova, S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov. Proc. SPIE, 7356, 73561T (2009)
V.A. Markov, A.V. Semencha, M.V. Kurushkin, D.V. Kurushkin, V.A. Klinkov, A.A. Petukhov. Infr. Phys. \& Technol., 78, 167 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2016.07.020
Н.П. Есина, Н.В. Зотова, И.И. Марков, Б.А. Матвеев, А.А. Рогачев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Журн. прикл. спектроскопии, 42 (4), 691 (1985)
M. Kohring, S. Bottger, U. Willer, W. Schade. Sensors (Basel), 15 (5), 12092 (2015). DOI: 10.3390/s150512092
В.Н. Кабаций. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3, 29 (2010)
А.О. Васильев, П.В. Чартий, В.Г. Шеманин. Петербургский журн. электроники, N 1, 101 (2010)
A.O. Vasilyev, V.G. Shemanin, P.V. Chartiy. Proc. SPIE, 8155, 81550T (2011)
И.И. Ли, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 68 (2007)
В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007)
С.Е. Александров, Г.А. Гаврилов, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Г.Ю. Сотникова. Патент РФ N 2610073 от 07.02 2017 г. (Заявка на изобретение \# 2013109254 от 01.03.2013)
M. Tavakoli, L. Turicchia, R. Sarpeshkar. IEEE Trans. Biomed. Circ. Syst., 4 (1), 27 (2010)
R.G. Haahr, S.B. Duun, M.H. Toft, B. Belhage, J. Larsen, K. Birkelund, E.V. Thomsen. IEEE Trans. Biomed. Circ. Syst., 6, 45 (2012)
M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Sensors Actuators B: Chemical, 91 (1-3), 256 (2003)
В.П. Астахов, Ю.А. Данилов, В.Ф. Дудкин, В.П. Лесников, Г.Ю. Сидорова, Л.А. Суслов, И.И. Таубкин, Ю.М. Эскин. Письма ЖТФ, 18 (3), 1 (1992)
А.В. Любченко, А.В. Сукач, Г.С. Олейник, Г.П. Нужная, С.А. Сыпко, В.В. Тетеркин, А.В. Фомин, Л.Г. Шепель. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, N 34, 100 (1999). ISSN 0233-7577.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель