"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)
Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Иоффе ЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Email: ioffeled@mail.r u
Поступила в редакцию: 12 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Приводится обзор результатов, полученных при исследовании светодиодов на основе гетероструктур с активной областью из InAs, выращенных методами жидкофазной эпитаксии и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, за последние 10 лет. Проводится анализ картины ближнего поля, ватт-амперных, вольт-амперных характеристик и квантового выхода светодиодов, имеющих конструкцию с точечным контактом и флип-чип, в широком диапазоне температур.
  • J. Hodgkinson, R.P. Tatam. Meas. Sci. Technol., 24, 012004 (2013)
  • Б.А. Матвеев. Фотоника, 6 (48), 80 (2014)
  • X. Zhou, X. Meng, A.B. Krysa, J.R. Willmott, J.S. Ng, Ch.H. Tan. IEEE Sens. J., 15 (10), 5555 (2015)
  • D. Zymelka, B. Matveev, S. Aleksandrov, G. Sotnikova, G. Gavrilov, M. Saadaoui. IOP J. Flexible Printed Electronics, 2, 045006 (2017). DOI: 10.1088/2058-8585/aa900a
  • М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Н.М. Стусь. ФТП, 23 (1), 592 (1989)
  • B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remenyi, N.M. Stus', A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, V.G. Polovinkin. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 891, 9 (2006)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  • Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 42 (6), 641 (2008)
  • М.М. Григорьев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 45 (10), 1386 (2011)
  • Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ФТП, 45 (4), 554 (2011)
  • М.М. Григорьев, П.А. Алексеев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 47 (1), 30 (2013)
  • В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев, В.В. Шерстнев, А.П. Астахова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43 (4), 522 (2009)
  • Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г. Карпухина, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Прикл. физика, N 6, 47 (2014)
  • P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 78, 249 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2016.08.013
  • А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, А.Е. Черняков. ФТП, 51 (2), 269 (2017)
  • P. Santhanam, D. Huang, R.J. Ram, M.A. Remennyi, B.A. Matveev. Appl. Phys. Lett., 103 (19), 183513 (2013). DOI: 10.1063/1.4828566
  • B.A. Matveev, A.V. Ankudinov, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L'vova, M.A. Remennyy, A.Yu. Rybal'chenko, N.M. Stus'. Proc. SPIE, 7597, 75970G (2010)
  • С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, В.И. Ратушный, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ЖТФ, 84 (11), 52 (2014)
  • Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. Оптический журн., 79 (9), 60 (2012)
  • В.Н. Кабаций. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 4, 30 (2008)
  • B. Matveev, M. Remennyy, S. Karandashev, K. Keranen, H. Saloniemi, J. Ollila, T. Kuusela, I. Kauppinen. Proc. IMCS 2012 --- 14th Intern. Meeting on Chemical Sensors (Nurnberg/Nuremberg, Germany, 2012) p. 241. DOI: 10.5162/IMCS2012/2.5.5
  • Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Сб. тез. Росс. конф. и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники ( с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2017 (Новосибирск, 2017) с. 18. ISBN 978-5-4437-0673-3
  • Н.С. Аверкиев, А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, А.Ю. Кислякова, А.М. Монахов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43 (1), 124 (2009)
  • А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. ФТП, 44 (2), 278 (2010)
  • Н.К. Жумашев, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, Н.Д. Стоянов, С.С. Кижаев, Т.И. Гурина, А.П. Астахова, А.В. Черняев, С.С. Молчанов, Х. Липсанен, Х.М. Салихов, В.Е. Бугров. Науч.-техн. вестн. информационных технологий, механики и оптики, 16 (1), 76 (2016)
  • К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.А. Семакова, М.П. Михайлова, Н.Д. Стоянов, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, А.П. Астахова, А.В. Черняев, H. Lipsanen, В.Е. Бугров. ФТП, 51 (2), 247 (2017)
  • А.А. Петухов, Н.Д. Ильинская, С.С. Кижаев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 45 (11), 1560 (2011)
  • С.С. Кижаев, К.В. Калинина, А.А. Петухов, Т.И. Гурина, А.Н. Миронова, А.В. Черняев, Н.Д. Стоянов, Х.М. Салихов. Тр. 2-й Российско-Белорусской науч.-техн. конф. "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение" им. О.В. Лосева (Н. Новгород, 2015) с. 163. ISBN 978-5-9903092-3-8
  • N.D. Stoaynov, K.M. Salikhov, K.V. Kalinina, B.E. Zhurtanov, S.S. Kizhaev. Proc. SPIE, 8257, 82571E (2012)
  • N.D. Stoyanov, K.M. Salikhov, K.V. Kalinina, S.S. Kizhaev, A.V. Chernyaev. Proc. SPIE, 8982, 89821A (2014)
  • О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Е.А. Ковалишина, А.С. Петров. Прикл. физика, N 4, 93 (2014)
  • K. Shim. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 011201 (2016)
  • B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remenyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005)
  • М. Айдаралиев, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26 (2), 246 (1992)
  • Я.Я. Кудрик, А.В. Зиновчук. Письма ЖТФ, 38 (10), 14 (2012)
  • E.F. Schubert. Light-Emitting Diodes, 2nd edn (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 2006)
  • P. Santhanam, D.J. Gray, jr., R.J. Ram. Phys. Rev. Lett., 108, 097403 (2012)
  • P. Santhanam, D. Huang, D.J. Gray, jr., R.J. Ram. Proc. SPIE, 8638, 863807 (2013). DOI: 10.1117/12.2005093
  • http://www.matprop.ru/InAs\_bandstr
  • S. Rathgeb, J.-P. Moeglin, A. Boffy, M. Pasquinelli, O. Palais. Appl. Phys. Lett., 89, 022106 (2006)
  • V.K. Malyutenko, S.S. Bolgov, A.D. Podoltsev. Appl. Phys. Lett., 97 (25), 251110 (2010)
  • K. Keranen, J. Ollila, H. Saloniemi, B. Matveev, J. Raittila, A. Helle, I. Kauppinen, T. Kuusela, L. Pierno, P. Karioja, M. Karppinen. Procedia Engin., 47, 1438 (2012)
  • K. Keranen, K. Kautio, J. Ollila, M. Heikkinen, I. Kauppinen, T. Kuusela, B. Matveev, M.E. Mc Nie, R.M. Jenkins, P. Karioja. Proc. SPIE, 7607, 760714 (2010)
  • P. Karioja, K. Keranen, K. Kautio, J. Ollila, M. Heikkinen, I. Kauppinen, T. Kuusela, B. Matveev, M.E. Mc Nie, R.M. Jenkins, J. Palve. Proc. SPIE, 7726, 77260H (2010)
  • T. Kuusela, J. Peura, B.A. Matveev, M.A. Remennyy, N.M. Stus'. Vibrational Spectroscopy, 51 (2), 289 (2009)
  • G.Yu. Sotnikova, S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov. Proc. SPIE, 7356, 73561T (2009)
  • V.A. Markov, A.V. Semencha, M.V. Kurushkin, D.V. Kurushkin, V.A. Klinkov, A.A. Petukhov. Infr. Phys. \& Technol., 78, 167 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2016.07.020
  • Н.П. Есина, Н.В. Зотова, И.И. Марков, Б.А. Матвеев, А.А. Рогачев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Журн. прикл. спектроскопии, 42 (4), 691 (1985)
  • M. Kohring, S. Bottger, U. Willer, W. Schade. Sensors (Basel), 15 (5), 12092 (2015). DOI: 10.3390/s150512092
  • В.Н. Кабаций. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3, 29 (2010)
  • А.О. Васильев, П.В. Чартий, В.Г. Шеманин. Петербургский журн. электроники, N 1, 101 (2010)
  • A.O. Vasilyev, V.G. Shemanin, P.V. Chartiy. Proc. SPIE, 8155, 81550T (2011)
  • И.И. Ли, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 68 (2007)
  • В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007)
  • С.Е. Александров, Г.А. Гаврилов, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Г.Ю. Сотникова. Патент РФ N 2610073 от 07.02 2017 г. (Заявка на изобретение \# 2013109254 от 01.03.2013)
  • M. Tavakoli, L. Turicchia, R. Sarpeshkar. IEEE Trans. Biomed. Circ. Syst., 4 (1), 27 (2010)
  • R.G. Haahr, S.B. Duun, M.H. Toft, B. Belhage, J. Larsen, K. Birkelund, E.V. Thomsen. IEEE Trans. Biomed. Circ. Syst., 6, 45 (2012)
  • M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Sensors Actuators B: Chemical, 91 (1-3), 256 (2003)
  • В.П. Астахов, Ю.А. Данилов, В.Ф. Дудкин, В.П. Лесников, Г.Ю. Сидорова, Л.А. Суслов, И.И. Таубкин, Ю.М. Эскин. Письма ЖТФ, 18 (3), 1 (1992)
  • А.В. Любченко, А.В. Сукач, Г.С. Олейник, Г.П. Нужная, С.А. Сыпко, В.В. Тетеркин, А.В. Фомин, Л.Г. Шепель. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, N 34, 100 (1999). ISSN 0233-7577.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.