"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение параметров структур металл-диэлектрик- полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010081
Гольдман Е.И. 1, Кухарская Н.Ф. 1, Левашов С.А. 1, Чучева Г.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Email: e.i.goldman2@gmail.com, nad7439@yandex.ru, 3d12898@mail.ru, gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Предложена простая численная методика обработки данных высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Подход основан на анализе экспериментальных характеристик вблизи состояния плоских зон, где перезарядка поверхностных локализованных электронных состояний малосущественна по сравнению с изменением приграничного заряженного слоя в полупроводнике. Развитый аппарат позволяет: во-первых, находить необходимые параметры полупроводника и изолирующего слоя; во-вторых, получать в диапазоне от плоских зон до глубокого обеднения экспериментальные полевые зависимости изгиба зон в полупроводнике и суммарной концентрации встроенного заряда, заряда пограничных состояний и неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Методика хорошо применима к структурам со сверхтонким изолирующим слоем. На образцах металл-окисел-полупроводник на основе n-Si с толщиной окисла 39 Angstrem проведена экспериментальная апробация предложенного подхода. Точность полученных результатов составила 2-3%.
  • S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices, 3rd edn (N. Y, John Willey @ Sons, 2007)
  • E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., John Willey @ Sons, 1982)
  • Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  • L.F. Lonnum, J.S. Johannessen. Electron. Lett., 22 (9), 456 (1986)
  • J.Y. Kevin, H. Chenming. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (7), 1500 (1999)
  • Е.И. Гольдман, А.И. Левашова, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 49 (4), 483 (2015)
  • Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 45 (7), 974 (2011)
  • Е.И. Гольдман, С.А. Левашов, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 51 (9), 1185 (2017)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  • Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 81 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.