Предложена простая численная методика обработки данных высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Подход основан на анализе экспериментальных характеристик вблизи состояния плоских зон, где перезарядка поверхностных локализованных электронных состояний малосущественна по сравнению с изменением приграничного заряженного слоя в полупроводнике. Развитый аппарат позволяет: во-первых, находить необходимые параметры полупроводника и изолирующего слоя; во-вторых, получать в диапазоне от плоских зон до глубокого обеднения экспериментальные полевые зависимости изгиба зон в полупроводнике и суммарной концентрации встроенного заряда, заряда пограничных состояний и неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Методика хорошо применима к структурам со сверхтонким изолирующим слоем. На образцах металл-окисел-полупроводник на основе n-Si с толщиной окисла 39 Angstrem проведена экспериментальная апробация предложенного подхода. Точность полученных результатов составила 2-3%.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.