"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение параметров структур металл-диэлектрик- полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010081
Гольдман Е.И. 1, Кухарская Н.Ф. 1, Левашов С.А. 1, Чучева Г.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Email: e.i.goldman2@gmail.com, nad7439@yandex.ru, 3d12898@mail.ru, gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Предложена простая численная методика обработки данных высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Подход основан на анализе экспериментальных характеристик вблизи состояния плоских зон, где перезарядка поверхностных локализованных электронных состояний малосущественна по сравнению с изменением приграничного заряженного слоя в полупроводнике. Развитый аппарат позволяет: во-первых, находить необходимые параметры полупроводника и изолирующего слоя; во-вторых, получать в диапазоне от плоских зон до глубокого обеднения экспериментальные полевые зависимости изгиба зон в полупроводнике и суммарной концентрации встроенного заряда, заряда пограничных состояний и неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Методика хорошо применима к структурам со сверхтонким изолирующим слоем. На образцах металл-окисел-полупроводник на основе n-Si с толщиной окисла 39 Angstrem проведена экспериментальная апробация предложенного подхода. Точность полученных результатов составила 2-3%.
  1. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices, 3rd edn (N. Y, John Willey @ Sons, 2007)
  2. E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., John Willey @ Sons, 1982)
  3. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  4. L.F. Lonnum, J.S. Johannessen. Electron. Lett., 22 (9), 456 (1986)
  5. J.Y. Kevin, H. Chenming. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (7), 1500 (1999)
  6. Е.И. Гольдман, А.И. Левашова, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 49 (4), 483 (2015)
  7. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 45 (7), 974 (2011)
  8. Е.И. Гольдман, С.А. Левашов, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 51 (9), 1185 (2017)
  9. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  10. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 81 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.