Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 1 » Статья стр. 41
<<<>>>
Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi1-xSbx)2Te3
DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46984.8949
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010068
Галеева А.В.1, Гоманько М.А.1, Тамм М.Е.2, Яшина Л.В.2, Данилов С.Н.3, Рябова Л.И.2, Хохлов Д.Р.1,4
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
4Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
PDF версия
На основании анализа фотоэлектромагнитного эффекта в трехмерных топологических изоляторах (Bi1-xSbx)2Te3 (0≤ x≤0.55) сделана оценка подвижности поверхностных носителей заряда. Высокая степень вырождения газа носителей в сочетании с низкой энергией возбуждающего терагерцового кванта обеспечивали неравновесный процесс, связанный исключительно с тепловым разогревом носителей. В этих условиях фотоэдс определяется градиентом подвижности поверхностных и объемных носителей. Фотоэдс и, следовательно, градиент подвижности полностью исчезают при увеличении объемной подвижности до 105 см2·В-1·с-1. В образцах со сравнительно низкой объемной подвижностью при тех же условиях эксперимента фотоэдс отчетливо наблюдается.
  1. H. Zhang, C.-X. Liu, X.-L. Qi, X. Dai, Z. Fang, S.-C. Zhang. Nature Phys., 5, 438 (2009)
  2. C. Niu, Y. Dai, Y. Zhu, Y. Ma, L. Yu, S. Han, B. Huang. Sci. Rep., 2, 976 (2012)
  3. M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82, 3045 (2010)
  4. A. Bansil, H. Lin, T. Das. Rev. Mod. Phys., 88, 021004 (2016)
  5. J. Zhang, C.-Z. Chang, Z. Zhang, J. Wen, X. Feng, K. Li, M. Liu, K. He, L. Wang, X. Chen, Q.-K. Xue, X. Ma, Y. Wang. Nature Commun., 2, 574 (2011)
  6. D. Kong, Y. Chen, J.J. Cha, Q. Zhang, J.G. Analytis, K. Lai, Z. Liu, S.S. Hong, K.J. Koski, S.-K. Mo, Z. Hussain, I.R. Fisher, Z.-X. Shen, Y. Cui. Nature Nanotechnol., 6, 705 (2011)
  7. J. Sanchez-Barriga, M. Battiato, E. Golias, A. Varykhalov, L.V. Yashina, O. Kornilov, O. Rader. Appl. Phys. Lett., 110, 141605 (2017)
  8. R. Valdes Aguilar, A.V. Stier, W. Liu, L.S. Bilbro, D.K. George, N. Bansal, L. Wu, J. Cerne, A.G. Markelz, S. Oh, N.P. Armitage. Phys. Rev. Lett., 108, 087403 (2012).
  9. C.W. Luo, H.-J. Chen, C.M. Tu, C.C. Lee, S.A. Ku, W.Y. Tzeng, T.T. Yeh, M.C. Chiang, H.J. Wang, W.C. Chu, J.-Y. Lin, K.H. Wu, J.Y. Juang, T. Kobayashi, C.-M. Cheng, C.-H. Chen, K.-D. Tsuei, H. Berger, R. Sankar, F.C. Chou, H.D. Yang. Adv. Opt. Mater., 1, 804 (2013)
  10. H. Plank, J. Pernul, S. Gebert, S.N. Danilov, J. Konig-Otto, S. Winnerl, M. Lanius, J. Kampmeier, G. Mussler, I. Aguilera, D. Grutzmacher, S.D. Ganichev. Phys. Rev. Mat., 2, 024202 (2018)
  11. H. Plank, L.E. Golub, S. Bauer, V.V. Bel'kov, T. Herrmann, P. Olbrich, M. Eschbach, L. Plucinski, C.M. Schneider, J. Kampmeier, M. Lanius, G. Mussler, D. Gruetzmacher, S.D. Ganichev. Phys. Rev. B, 93, 125434 (2016)
  12. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев. УФН, 124, 597 (1978)
  13. S.G. Egorova, V.I. Chernichkin, L.I. Ryabova, E.P. Skipetrov, L.V. Yashina, S.N. Danilov, S.D. Ganichev, D.R. Khokhlov. Sci. Rep., 5, 11540 (2015)
  14. A.V. Galeeva, S.G. Egorova, V.I. Chernichkin, M.E. Tamm, L.V. Yashina, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, H. Plank, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 31, 095010 (2016)
  15. Д. Лонг. УФН, 80 (8), 639 (1963)
  16. А.Н. Вейс, Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов. ФТТ, 54 (11), 2051 (2012),
  17. В.И. Штанов. Кристаллография, 49 (2), 343 (2004)
  18. P. Schneider, J. Kainz, S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, S.N. Danilov, M.M. Glazov, L.E. Golub, U. Rossler, W. Wegscheider, D. Weiss, D. Schuh, W. Prettl. J. Appl. Phys., 96, 420 (2004)
  19. V. Lechner, L.E. Golub, P. Olbrich, S. Stachel, D. Schuh, W. Wegscheider, V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev. Appl. Phys. Lett., 94, 242109 (2009)
  20. P. Olbrich, J. Karch, E.L. Ivchenko, J. Kamann, B. Marz, M. Fehrenbacher, D. Weiss, S.D. Ganichev. Phys. Rev. B, 83, 165320 (2011)
  21. P. Olbrich, L.E. Golub, T. Herrmann, S.N. Danilov, H. Plank, V.V. Bel'kov, G. Mussler, Ch. Weyrich, C.M. Schneider, J. Kampmeier, D. Grutzmacher, L. Plucinski, M. Eschbach, S.D. Ganichev. Phys. Rev. Lett., 113, 096601 (2014)
  22. С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 35, 368 (1982)
  23. С.Д. Ганичев, Я.И. Терентьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 11, 46 (1985)
  24. S.D. Ganichev. Physica B, 273-274, 737 (1999)
  25. E. Ziemann, S.D. Ganichev, I.N. Yassievich, V.I. Perel, W. Prettl. J. Appl. Phys., 87, 3843 (2000)
  26. A.V. Galeeva, I.V. Krylov, K.A. Drozdov, A.F. Knjazev, A.V. Kochura, A.P. Kuzmenko, V.S. Zakhvalinskii, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Beilstein J. Nanotechnol., 8, 167 (2017)
  27. V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev. Semicond. Sci. Technol., 23, 114003 (2008)
  28. V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, S.A. Tarasenko, W. Weber, S. Giglberger, M. Olteanu, H.-P. Tranitz, S.N. Danilov, Petra Schneider, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl. J. Phys. C: Condens. Matter, 17, 3405 (2005)
  29. S.D. Ganichev, S.A. Tarasenko, V.V. Bel'kov, P. Olbrich, W. Eder, D.R. Yakovlev, V. Kolkovsky, W. Zaleszczyk, G. Karczewski, T. Wojtowicz, D. Weiss. Phys. Rev. Lett., 102, 156602 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme