"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/ p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010159
Михайлова М.П.1, Иванов Э.В.1, Данилов Л.В.1, Левин Р.В.1, Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Mayamikh@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Сообщается об исследовании электролюминесцентных характеристик гетероструктуры II типа n-GaSb/n-InAs/p-GaSb с глубокой одиночной квантовой ямой, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рассчитаны зонная энергетическая диаграмма структуры и положение уровней энергии электронов и тяжелых дырок. Из анализа вольт-амперных характеристик сделан вывод о туннельном механизме протекания темнового тока в изучаемой структуре. Обнаружена интенсивная электролюминесценция в спектральном диапазоне 3-4 мкм при T=77 и 300 K, отличающаяся слабой температурной зависимостью. Основная полоса электролюминесценции (hnu=0.40 эВ при 77 K) соответствует прямым излучательным переходам между электронами с уровня E1 в квантовой яме InAs и тяжелыми дырками континуума на гетерогранице n-GaSb/n-InAs. Малоинтенсивный пик (hnu=0.27 эВ, T=77 K) обусловлен непрямыми (туннельными) переходами с первого уровня электронов в квантовой яме на второй уровень тяжелых дырок, локализованных в разрыве валентной зоны на гетерогранице n-InAs/p-GaSb.
  • G.A. Sai-Halasz, L. Esaki, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 18 (6), 2812 (1978)
  • M. Altarelli, J.C. Maan, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B, 35 (18), 9867 (1987)
  • M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, K. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, Optical Sensing Technology and Applications, 6585 658526 (2007)
  • M. Razeghi, D. Hoffman, B.-M. Nguyen, P.-Y. Delaunay, E.K. Huang, M.Z. Tidrow. Proc. SPIE, Infrared Technology and Applications XXXIV, 6940, 694009 (2008)
  • М.П. Михайлова, И.А. Андреев, К.Д. Моисеев, Э.В. Иванов, Г.Г. Коновалов, М.Ю. Михайлов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 45 (2), 251 (2011)
  • R. Teissier, D. Barate, Y. Devinson, A.N. Baranov, X. Marcadet, C. Bernard, C. Sirtori. Inst. Phys. Conf. Ser., 187, 307 (2005)
  • Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008)
  • K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, T. Simecek, J. Oswald, J. Pangrac. J. Appl. Phys., 86 (11), 6264 (1999)
  • К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев, И. Освальд, Э. Гулициус, И. Панграц, Т. Шимечек. ФТП, 37 (10), 1214 (2003)
  • К.Д. Моисеев, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, С.В. Иванов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 24 (12), 50 (1998)
  • G.G. Zegrya, M.Yu. Mikhailov. Abstracts Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 1994) p. 100
  • Р.В. Левин, В.Н. Неведомский, Б.В. Пушный, Н.А. Берт, М.Н. Мизеров. Письма ЖТФ, 42 (2), 79 (2016)
  • Handbook Series of Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (Singapore- N. Y.-London-Hong Kong, World Scientific Publishing, 1996) v. 1
  • N. Bertru, A.N. Baranov, Y. Cuminal, G. Boissier, C. Alibert, A. Joullie, B. Lambert. J. Appl. Phys., 85 (3), 1989 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.