"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/ p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010159
Михайлова М.П.1, Иванов Э.В.1, Данилов Л.В.1, Левин Р.В.1, Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Mayamikh@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Сообщается об исследовании электролюминесцентных характеристик гетероструктуры II типа n-GaSb/n-InAs/p-GaSb с глубокой одиночной квантовой ямой, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рассчитаны зонная энергетическая диаграмма структуры и положение уровней энергии электронов и тяжелых дырок. Из анализа вольт-амперных характеристик сделан вывод о туннельном механизме протекания темнового тока в изучаемой структуре. Обнаружена интенсивная электролюминесценция в спектральном диапазоне 3-4 мкм при T=77 и 300 K, отличающаяся слабой температурной зависимостью. Основная полоса электролюминесценции (hν=0.40 эВ при 77 K) соответствует прямым излучательным переходам между электронами с уровня E1 в квантовой яме InAs и тяжелыми дырками континуума на гетерогранице n-GaSb/n-InAs. Малоинтенсивный пик (hν=0.27 эВ, T=77 K) обусловлен непрямыми (туннельными) переходами с первого уровня электронов в квантовой яме на второй уровень тяжелых дырок, локализованных в разрыве валентной зоны на гетерогранице n-InAs/p-GaSb.
  1. G.A. Sai-Halasz, L. Esaki, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 18 (6), 2812 (1978)
  2. M. Altarelli, J.C. Maan, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B, 35 (18), 9867 (1987)
  3. M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, K. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, Optical Sensing Technology and Applications, 6585 658526 (2007)
  4. M. Razeghi, D. Hoffman, B.-M. Nguyen, P.-Y. Delaunay, E.K. Huang, M.Z. Tidrow. Proc. SPIE, Infrared Technology and Applications XXXIV, 6940, 694009 (2008)
  5. М.П. Михайлова, И.А. Андреев, К.Д. Моисеев, Э.В. Иванов, Г.Г. Коновалов, М.Ю. Михайлов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 45 (2), 251 (2011)
  6. R. Teissier, D. Barate, Y. Devinson, A.N. Baranov, X. Marcadet, C. Bernard, C. Sirtori. Inst. Phys. Conf. Ser., 187, 307 (2005)
  7. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008)
  8. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, T. Simecek, J. Oswald, J. Pangrac. J. Appl. Phys., 86 (11), 6264 (1999)
  9. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев, И. Освальд, Э. Гулициус, И. Панграц, Т. Шимечек. ФТП, 37 (10), 1214 (2003)
  10. К.Д. Моисеев, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, С.В. Иванов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 24 (12), 50 (1998)
  11. G.G. Zegrya, M.Yu. Mikhailov. Abstracts Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 1994) p. 100
  12. Р.В. Левин, В.Н. Неведомский, Б.В. Пушный, Н.А. Берт, М.Н. Мизеров. Письма ЖТФ, 42 (2), 79 (2016)
  13. Handbook Series of Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (Singapore- N. Y.-London-Hong Kong, World Scientific Publishing, 1996) v. 1
  14. N. Bertru, A.N. Baranov, Y. Cuminal, G. Boissier, C. Alibert, A. Joullie, B. Lambert. J. Appl. Phys., 85 (3), 1989 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.