Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46465.8844

Переводная версия: 10.1134/S1063782618100160

Попов В.П.¹, Антонов В.А.¹, Вдовин В.И.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: popov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 12 февраля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые продемонстрирован перенос имплантированным водородом сплошных слоев (001) Si толщиной 0.2-1.7 мкм на c-поверхность сапфира в процессе прямого сращивания при повышенных температурах 300-500^oС. Впервые обнаружено формирование промежуточного слоя оксида кремния SiO_x при последующих термообработках при температурах 800-1100^oС, рост толщины которого (до 3 нм) коррелирует с увеличением положительного заряда Q_i на гетерогранице до значения ~1.5·10¹² см^-2 в отличие от отрицательного заряда на гетерогранице SiO_x/Al₂O₃ ALD. При переносе на сапфир слоя кремния вместе со слоем термического диоксида кремния величина Q_i уменьшается более чем на порядок, до 5·10¹⁰ см^-2, с ростом толщины SiO₂ от 50 до 400 нм, а подвижности электронов и дырок практически не отличаются от величин в объeмном кремнии. На основании этих результатов предложена качественная модель формирования положительно заряженных кислородных вакансий в 5-нанометровом слое сапфира вблизи границы сращивания.

H.M. Manasevit, W.L. Simpson. J. Appl. Phys., 35 (4), 1349 (1964)
M.E. Twigg, E.D. Richmond, J.G. Pellegrino. J. Appl. Phys., 67 (8), 3706 (1990)
E. Gartstein, D. Mogilyanski, N. Frumin. J. Cryst. Growth, 205, 64 (1999)
Mei Liu, Haihui Ruan, Liangchi Zhang. J. Mater. Res., 28 (11), 1413 (2013)
Yukio Yasuda, Yamichi Ohmura. Jpn. J. Appl. Phys., 8 (9), 1098 (1969)
S.S. Lau, S. Matteson, J.W. Mayer, P. Revesz, J. Gyulai, J. Roth, T.W. Sigmon, T. Cass. Appl. Phys. Lett., 34 (1), 76 (1979)
D.C. Paine, D.J. Howard, N.G. Stoffel, J.A. Horton. J. Mater. Res. 5 (5), 1023 (1990)
E.D. Richmond, M.E. Twigg, S. Qadri, J.G. Pellegrino, M.T. Duffey. Appl. Phys. Lett., 56 (25), 2551 (1990)
P. George P. Imthurn, Graham A. Garcia, Howard W. Walker, Leonard Forbes. J. Appl. Phys. 72 (6), 2526 (1992)
J.H. Wang, M.S. Jin, V.H. Ozguz, S.H. Lee. Appl. Phys. Lett., 64 (6), 724 (1994)
D.V. Singh, L. Shi, K.W. Guarini, P.M. Mooney, S.J. Koester, A. Grill. J. Electron. Mater., 32 (11), 1339 (2003)
В.П. Попов, Э.Д. Жанаев, Н.В. Дудченко, В.А. Антонов, А.И. Попов. Патент N 2538352 (РФ). Бюл. N 1, 10.01.2015
S. Cristoloveanu, I. Ionica, A. Diab, F. Liu. ECS Transactions, 50 (5), 249 (2012)
N. Hefyene, S. Cristoloveanu, G. Ghibaudo, P. Gentil, Y. Moriyasu, T. Morishita, M. Matsui, A. Yasujima. Solid State Electron., 44 (10), 1711 (2000)
E. Gartstein, D. Mogilyanski, N. Frumin. J. Cryst. Growth, 205, 64 (1999)
C. Diouf, A. Cros, S. Monfray, J. Mitard, J. Rosa, D. Gloria, G. Ghibaudo. Solid-State Electron., 85, 12 (2013)
A. Diab, L. Pirro, I. Ionica, X. Mescot, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu. Appl. Phys. Lett., 101 (9), 092110 (2012)
K. Shimura, R. Kunugi, A. Ogura, Sh. Satoh, Ji. Fei, K. Kita, T. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys., 55 (4S), 04EB03 (2016)
N. Rodriguez, S. Cristoloveanu, F. Gamiz. IEEE Trans. Electron Dev., 56 (7), 1507 (2009)
И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Я. Бак-Мисюк, В.И. Ободников, Е.В. Спесивцев, В.П. Попов. Изв. АН. Cер. физ., 67 (2), 175 (2003)
C. Fernandez, N. Rodriguez, C. Marquez, F. Gamiz. 2015 Joint Intern. EUROSOI Workshop and Intern. Conf. on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 289 (2015) DOI: 10.1109/ULIS.2015.7063830
M. Charbonnier, Ch. Leroux, V. Cosnier, P. Besson, E. Martinez, N. Benedetto, Ch., N. Rochat, C. Gaumer, K. Kaja, G. Ghibaudo, F. Martin, G. Reimbold. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (8), 1809 (2010)
Yinkai Lei, Guofeng Wang. Scripta Mater., 101, 20 (2015)
P.M. Jordan, D.K. Simon, T. Mikolajick, I. Dirnstorfer. J. Appl. Phys. 119 (21), 215306 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель