"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100056
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Кудояров М.Ф.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследовано влияние низкодозного протонного облучения (доза облучения 1010-1.8·1011 см-2) на вольт-фарадные характеристики, прямые вольт-амперные характеристики и характеристики обратного восстановления высоковольтных диодов с p-no-переходом на основе 4H-SiC. Облучение проводилось протонами с энергией 1.8 МэВ через никелевую пленку толщиной 10 мкм (энергия протонов и толщина Ni пленки выбирались так, чтобы пробег протонов в карбиде кремния приблизительно равнялся глубине залегания p-no-перехода). Показано, что протонное облучение в указанных дозах: 1) не вызывает сколько-нибудь заметного уменьшения концентрации основных носителей в диодах; 2) кардинально уменьшает время жизни неравновесных носителей при низком уровне инжекции (в десятки раз при максимальной дозе облучения); 3) уменьшает заряд обратного восстановления диодов при высоком уровне инжекции (до трех раз при максимальной дозе облучения).
  1. P. Hazdra, J. Vobecky, H. Dorschner, K. Brand. Microelectron. J., 35, 249 (2004)
  2. R.K. Sharma, P. Hazdra, S. Popelka. Int. J. Microelectron. Comput. Sci., 6, 59 (2015)
  3. P. Hazdra, S. Popelka. Mater. Sci. Forum, 897, 463 (2017)
  4. R.K. Sharma, S. Popelka, P. Hazdra. IEEE Trans. Nucl. Sci., 62, 534 (2015)
  5. K. Danno, D. Nakamura, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 90, 202109 (2007)
  6. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 15, 908 (2000)
  7. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
  8. П.А. Иванов, О.И. Коньков, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. Письма ЖТФ, 44, 3 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.