Исследовано влияние низкодозного протонного облучения (доза облучения 10¹⁰-1.8·10¹¹ см^-2) на вольт-фарадные характеристики, прямые вольт-амперные характеристики и характеристики обратного восстановления высоковольтных диодов с p-n_o-переходом на основе 4H-SiC. Облучение проводилось протонами с энергией 1.8 МэВ через никелевую пленку толщиной 10 мкм (энергия протонов и толщина Ni пленки выбирались так, чтобы пробег протонов в карбиде кремния приблизительно равнялся глубине залегания p-n_o-перехода). Показано, что протонное облучение в указанных дозах: 1) не вызывает сколько-нибудь заметного уменьшения концентрации основных носителей в диодах; 2) кардинально уменьшает время жизни неравновесных носителей при низком уровне инжекции (в десятки раз при максимальной дозе облучения); 3) уменьшает заряд обратного восстановления диодов при высоком уровне инжекции (до трех раз при максимальной дозе облучения).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.