"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100093
Максимов М.В.1, Надточий А.М.1, Шерняков Ю.М.2, Паюсов А.С.2, Васильев А.П.3, Устинов В.М.3,4, Сeрин А.А.2, Гордеев Н.Ю.2, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: maximov@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследованы характеристики лазеров оптического диапазона 1.44-1.46 мкм, выращенных на подложках GaAs с использованием метаморфного буфера. Активная область лазеров содержала 10 рядов квантовых точек InAs/In0.4Ga0.6As/In0.2Ga0.8As. Показано, что использование специального селективного высокотемпературного отжига совместно с применением короткопериодных сверхрешеток In0.2Ga0.8As/In0.2Al0.3Ga0.5As позволяет существенно снизить плотность прорастающих дислокаций в активной области. Для лазера с широким полоском длиной 3 мм достигнута пороговая плотность тока 1300 А·см-2, внешняя дифференциальная квантовая эффективность 38% и максимальная выходная мощность в импульсном режиме 13 Вт.
  1. М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (6), 763 (2004)
  2. A.Y. Liu, C. Zhang, J. Norman, A. Snyder, D. Lubyshev, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 104, 041104 (2014)
  3. R. Hull, J.C. Bean, R.E. Leibenguth, D.J. Werder. J. Appl. Phys., 65 (12), 4723 (1989)
  4. S. Chen, W. Li, J. Wu, Q. Jiang, M. Tang, S. Shutts, S.N. Elliott, A. Sobiesierski, A.J. Seeds, I. Ross, P.M. Smowton, H. Liu. Nature Photonies, 10, 307 (2016)
  5. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, T. Kettler, K. Posilovic, D. Bimberg, L.Ya. Karachinsky, A.Yu. Gladyshev, M.V. Maximov, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. J. Cryst. Growth, 301, 914 (2007)
  6. S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 340 (2005)
  7. N. Ledentsov. Semiconductor device and method of making same. United States Patent 6653166 (2003)
  8. L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (3), 418 (2001)
  9. А.В. Савельев, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 45 (2), 245 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.