"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5 с примесью железа
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090051
Кастро Р.А.1, Грабко Г.И.2, Кононов А.А.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Забайкальский государственный университет, Чита, Россия
Email: recastro@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Приведены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5. Введение примеси железа в матрицу стекла приводит к резкому увеличению значения диэлектрической проницаемости varepsilon' и уменьшению величины диэлектрических потерь tgdelta. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках кластерной модели структуры (двухфазной модели) легированного стекла.
  1. D.I. Bletskan, V.M. Kabatsii. Open J. Inorganic Non-Metallic Mater., 3, 29 (2013)
  2. Y. Liu,  R. Golovchak, W. Heffner, O. Shpotyuk, G. Chen, H. Jain. J. Mater. Chem. C, 1, 6677 (2013)
  3. A.K. Kukreti1, S. Gupta, M. Saxena, N. Rastogi. Int. J. Innovative Res. Science, Engin. Techn., 3, 89 (2016)
  4. R.A. Castro, S.A. Nemov, P.P. Seregin. Semiconductors, 40, 898 (2006)
  5. N.I. Anisimova, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, R.A. Castro. Rad. Eff. Def. Solids, 156, 359 (2002)
  6. R.A. Castro, F.S. Nasredinov. Glass Phys. Chem., 32, 412 (2006)
  7. G.A. Bordovskii, R.A. Castro. Glass Phys. Chem., 32, 315 (2006)
  8. K. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Springer, Berlin Heidelberg, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.