"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090154
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Федюкин А.В.1, Голощапов Д.Л.1, Лукин А.Н.1, Арсентьев И.Н.2, Жаботинский А.В.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 5 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии в работе изучены свойства образцов пористого GaAs, полученного методом электрохимического травления монокристаллических пластин n-GaAs(100). Удалось показать, что подбором состава электролита и условий травления могут быть получены образцы не только с различной степенью пористости и размером пор (нано/микро), но и иным типом поверхности образца. Травление n-GaAs(100) в выбранных условиях не приводит к изменению ориентации пористого слоя относительно ориентации монокристаллической подложки GaAs(100), ведет к уменьшению полуширины дифракционного максимума по сравнению с исходной пластиной, приводит к расщеплению фононной моды в инфракрасных спектрах и частотному сдвигу компонент с учетом параметров анодного травления, а также меняет оптические свойства в ультрафиолетовом диапазоне.
  1. М. Naddaf, M. Saad. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 24, 2254 (2013)
  2. G. Flamand, J. Poortmans. Phys. Status Solidi A, 202, 1611 (2005)
  3. A.I. Belogorokhov, S.A. Gavrilov, I.A. Belogorokhov, A.A. Tikhomirov. Semiconductors, 39, 243 (2005)
  4. P. Schmuki, D.J. Lockwood, H.J. Labbe, J.W. Fraser. Appl. Phys. Lett., 69, 1620 (1996)
  5. A. Dyadenchuk. Int. J. Mod. Commun. Technol. Res., 2, 5 (2014)
  6. Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 31, 1383 (1997)
  7. Y.A. Bioud, А. Boucherif, A. Belarouci, E. Paradis, D. Drouin, R. Ar\`es. Nanoscale Res. Lett., 11, 446 (2016)
  8. A. Lebib, E. Ben Amara, L. Beji. J. Luminesc, 188, 337 (2017)
  9. A.S. Len'shin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.N. Tsipenyuk. Tech. Phys., 59, 224 (2014)
  10. A.S. Len'shin, V.M. Kashkarov, V.N. Tsipenyuk, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov. Techn. Phys., 58, 284 (2013)
  11. А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин, Д.А. Минаков, Э.П. Домашевская. ЖТФ, 85, 151 (2015)
  12. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006)
  13. P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  14. R. Bernal Correa, J. Montes Monsalve, A. Pulzara Mora, M. Lopez Lopez, A. Cruz Orea, J.A. Cardona. Superf. Vac\`i o, 27, 102 (2014)
  15. N.K. Ali, M.R. Hashim, A.A. Aziz, H.A. Hassan, J. Ismail. Electrochem. Solid-State Lett., 12, K9 (2009)
  16. Paul M. Amirtharaj, David G. Seiler. Optical Properties of Semiconductors. Handbook Opt. V. II Devices Meas. Prop. Second Ed. 2nd edn (McGraw-Hill, 1995)
  17. S. Adachi. Properties of semiconductor alloys: group-IV, III-V and II-VI semiconductors (Chichester, U.K., Wiley, 2009)
  18. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  19. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010)
  20. V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.Y. Prints, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, A.O. Govorov. J. Exper. Theor. Phys. Lett., 66, 47 (1997)
  21. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
  22. P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 495, 54 (2016)
  23. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev. Semiconductors, 49, 915 (2015)
  24. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  25. J. Tauc. Prog. Semicond. (Heywood, London), 9, 87 (1965).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.