"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090075
Министерство образования и науки РФ , Соглашение № 14.578.21.0253, RFMEFI57817X0253
Колодезный Е.С.1, Курочкин А.С.1, Рочас С.С.1, Бабичев А.В.1, Новиков И.И.1, Гладышев А.Г.1, Карачинский Л.Я.2, Савельев А.В.1,3, Егоров А.Ю.1, Денисов Д.В.2,4
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: anton@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Исследована фотолюминесценция образцов напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP(100), с активной областью состоящей из 9 квантовых ям In0.74Ga0.26As и delta-легированных барьеров In0.53Al0.20Ga0.27As. Исследование спектров фотолюминесценции показало, что легирование примесью p-типа приводит к росту эффективности фотолюминесценции при малых уровнях возбуждения по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерами, а легирование барьеров до уровня (1-2)·1012 см-2 приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации.
  1. R. Michalzik. VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Springer International Publishing, London, 2013)
  2. S. Spiga, A. Andrejew, G. Boehm, M.-C. Amann. 2016 18th Int. Conf. Transparent Opt. Networks (Trento, Italy, 2016) p. 1
  3. A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Y. Karachinsky, A.Y. Egorov. Mater. Phys. Mech., 24 (3), 284 (2015)
  4. I.I. Novikov, A.V. Babichev, E.S. Kolodeznyi, A.S. Kurochkin, A.G. Gladyshev, V.N. Nevedomsky, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy. Mater. Phys. Mech., 29 (1), 76 (2016)
  5. K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52 (23), 1945 (1988)
  6. K. Uomi. Jpn. J. Appl. Phys., 29 (1), 81 (1990)
  7. K. Uomi, T. Mishima, N. Chinone. Jpn. J. Appl. Phys., 29 (1), 88 (1990)
  8. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
  9. K.R. Poguntke, A.R. Adams. Electron. Lett., 28 (1), 41 (1992)
  10. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, H. Ishikawa. IEEE J. Quant. Electron., 36 (4), 472 (2000)
  11. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25 (1), 2019 (1991)
  12. M.I. Dyakonov, V.Y. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49 (24), 17130 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.