"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090191
Смагина Ж.В.1, Зиновьев В.А.1, Кривякин Г.К.1,2, Родякина Е.Е.1,2, Кучинская П.А.1, Фомин Б.И.1, Яблонский А.Н.3, Степихова М.В.3, Новиков А.В.3, Двуреченский А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: smagina@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Разработан метод создания Ge/Si-структур с пространственно упорядоченными наноостровками при гетероэпитаксии на структурированных подложках Si(001) с квадратной решеткой ямок травления. Исследовано влияние глубины и периода расположения затравочных областей (ямок травления) на зарождение и рост Ge(Si)-наноостровков. Показано, что при изменении глубины ямок формируются как отдельные наноостровки внутри ямок, так и упорядоченные группы островков по их периметру. Обнаружено, что размеры наноостровков, формирующихся внутри ямок, увеличиваются с ростом расстояния между ямками от 1 до 4 мкм. Ярко выраженный сигнал фотолюминесценции от структур с пространственно упорядоченными квантовыми точками с периодом 1 мкм и больше наблюдается в диапазоне энергий 0.9-1.0 эВ.
  1. D. Grutzmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H.H. Solak, H. Sigg, R.T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy, G. Bauer. Nano Lett., 7 (10), 3150 (2007)
  2. Zh. Zhong, A. Halilovic, M. Muhlberger, F. Schafler, G. Bauer. App. Phys. Lett., 87 (10), 6258 (2003)
  3. Zh. Zhong, O.G. Schmidt, G. Bauer. App. Phys. Lett., 87, 133111 (2005)
  4. Zh.V. Smagina, N.P. Stepina, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, P.A. Kuchinskaya, A.V. Dvurechenskii. App. Phys. Lett., 105, 153106 (2014)
  5. А.В. Цуканов. Микроэлектроника, 42 (6), 403 (2013)
  6. M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, P. Rauter, M. Brehm, L. Spindlberger, A. Simbula, M. Galli, T. Fromherz, F. Schaffler. ACS Photonics, 4 (3), 665 (2017)
  7. S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Rep. Progr. Phys., 72, 046502 (2009)
  8. M. Grydlik, M. Brehm, T. Tayagaki, G. Langer, O.G. Schmidt, F. Schaffler. Appl. Phys. Lett., 106, 251904 (2015)
  9. A. Pascale, I. Berbezier, A. Ronda, P.C. Kelires. Phys. Rev. B, 77, 075311 (2008)
  10. Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, В.А. Селезнев, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, В.А. Зиновьев, Н.П. Степина, А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, А.К. Гутаковский. ФТП, 49, 767 (2015)
  11. G. Hubbard, S.J. Abbott, Q. Chen, D.W.E. Allsopp, W.N. Wang, C.R. Bowen, R. Stevens, A. vSatka, D. Havsko, F. Uherek, J. Kovavc. Physica E, 41, 1118 (2009)
  12. P. Chen, Y. Fan, Zh. Zhong. Nanotechnology, 20, 095303 (2009)
  13. J.A. Floro. Appl. Phys. Lett., 109, 193112 (2016)
  14. G. Vastola, M. Grydlik, M. Brehm, T. Fromherz, G. Bauer, F. Boioli, L. Miglio, F. Montalenti. Phys. Rev. B, 84, 155415 (2011)
  15. Y.J. Ma, C. Zeng, T. Zhou, S.F. Huang, Y.L. Fan, Z. Zhong, X.J. Yang, J.S. Xia, Z.M. Jiang. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 485303 (2014)
  16. O. Kienzle, F. Ernst, M. Ruhle, O.G. Schmidt, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 269 (1999)
  17. В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, С.А. Тийс, А.А. Шкляев, А.В. Мудрый. ФТП, 49 (2), 155 (2015)
  18. Zh. Zhong, W. Schwinger, F. Schaffler, G. Bauer, G. Vastola, F. Montalenti, L. Miglio. Phys. Rev. Lett., 98, 176102 (2007)
  19. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67 (1), 46 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.