Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070096
Ищенко Д.В.1, Неизвестный И.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: ischenkod@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

На основании представлений о том, что PbSnTe : In является прямозонным полупроводником, выполнены расчеты времени жизни излучательной рекомбинации, а в предположении, что PbSnTe : In это неупорядоченная структура, в которой существуют центры захвата, рассчитана релаксация фототока и зависимости мгновенного времени жизни электронов и дырок. Приведенные расчеты объясняют такие наблюдаемые в эксперименте особенности PbSnTe : In, как высокая фоточувствительность в широком диапазоне длин волн, стабилизация уровня Ферми, долговременная релаксация фототока. Проведено также сравнение расчетов с экспериментальными данными и оценка возможных параметров фотоприемников.