Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 7 » Статья стр. 686
<<<>>>
Кинетика изменения концентраций магнитных ионов примеси в сплавах Pb1-x-ySnxVyTe при легировании
DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46035.8760
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070217
РФФИ, 16-02-00865
Скипетров Е.П. 1,2, Константинов Н.С.1, Скипетрова Л.А. 1, Кнотько А.В. 2,3, Слынько В.Е. 4
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
4Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: skip@mig.phys.msu.ru, knotko@inorg.chem.msu.ru, slynko.vasily@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
PDF версия
Исследованы полевые и температурные зависимости намагниченности (магнитные поля B≤7.5 Тл, температуры T=2.0-75 K) образцов из монокристаллического слитка Pb1-x-ySnxVyTe (x=0.08, y=0.01), синтезированного методом Бриджмена. Установлено, что намагниченность образцов содержит два основных вклада: парамагнетизм ионов ванадия и диамагнетизм кристаллической решетки. Полевые и температурные зависимости намагниченности аппроксимированы суммой модифицированных функций Бриллюэна, соответствующих парамагнитным вкладам ионов ванадия в двух разных зарядовых состояниях, и линейного по полю диамагнитного вклада. В рамках модели перестройки электронной структуры сплавов при легировании определены концентрации ионов ванадия в двух разных магнитных состояниях и характер их изменения вдоль слитка. Проведено сопоставление полученных результатов с данными рентгенофлюоресцентного микроанализа и результатами исследования гальваномагнитных свойств образцов.
  1. E.P. Skipetrov, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. J. Appl. Phys., 115, 133702 (2014)
  2. M.N. Vinogradova, E.A. Gurieva, V.I. Zharskii, S.V. Zarubo, L.V. Prokofeva, T.T. Dedegkaev, I.I. Kryukov. Sov. Phys. Semicond., 12, 387 (1978)
  3. A.A. Vinokurov, S.G. Dorofeev, O.I. Tananaeva, A.I. Artamkin, T.A. Kuznetsova, V.P. Zlomanov. Inorg. Mater., 42, 1318 (2006)
  4. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, A.V. Knotko, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Semiconductors, 46, 741 (2012)
  5. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 39, 76 (2013)
  6. V.D. Vulchev, L.D. Borisova, K. Dimitrova. Phys. Status Solidi A, 97, K79 (1986)
  7. E.P. Skipetrov, F.A. Pakpur, N.A. Pichugin, V.E. Slyn'ko. Semiconductors, 41, 1035 (2007)
  8. E.P. Skipetrov, N.A. Pichugin, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Low Temp Phys., 37, 210 (2011)
  9. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Appl. Phys. Lett., 105, 022101 (2014)
  10. E.P. Skipetrov, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 41, 141 (2015)
  11. T. Story, E. Grodzicka, B. Witkowska, J. Gorecka, W. Dobrowolski. Acta Phys. Pol. A, 82, 879 (1992)
  12. E. Grodzicka, W. Dobrowolski, T. Story, Z. Wilamowski, B. Witkowska. Cryst. Res. Technol., 31, S651 (1996)
  13. W. Mac, T. Story, A. Twardowski. Acta Phys. Pol. A, 87, 492 (1995)
  14. E.P. Skipetrov, M.G. Mikheev, F.A. Pakpour, L.A. Skipetrova, N.A. Pichugin, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Semiconductors, 43, 297 (2009)
  15. E.A. Zvereva, E.P. Skipetrov, O.A. Savelieva, N.A. Pichugin, A.E. Primenko, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. J. Phys: Conf. Ser., 200, 062039 (2010)
  16. M.D. Nielsen, E.M. Levin, C.M. Jaworski, K. Schmidt-Rohr, J.P. Heremans. Phys. Rev. B, 85, 045210 (2012)
  17. D.G. Andrianov, S.A. Belokon, V.M. Lakeenkov, O.V. Pelevin, A.S. Savelev, V.I. Fistul, G.P. Tsiskarishvili. Sov. Phys. Semicond., 14, 102 (1980)
  18. D.T. Morelli, J.P. Heremans, C.M. Thrush. Phys. Rev. B, 67, 035206 (2003)
  19. E.P. Skipetrov, A.A. Solovev, A.V. Knotko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 43, 466 (2017)
  20. E.P. Skipetrov, A.A. Solovev, V.E. Slynko. Semiconductors, 52, 686 (2018)
  21. В.Е. Слынько. Вестн. Львов. ун-та. Сер. физ., 34, 291 (2001)
  22. В.Е. Слынько, W. Dobrowolski. Вестн. Нац. ун-та Львовская политехника". Электроника, N 681, 144 (2010)
  23. G. Bauer, H. Pasher. In: Diluted Magnetic Semiconductors, ed. by Mukesh Jain (Singapore--New Jersey--London--Hong Kong, World Scientific, 1991) p. 339
  24. J.R. Anderson, G. Kido, Y. Nishina, M. Gorska, L. Kowalczyk, Z. Golacki. Phys. Rev. B, 41, 1014 (1990)
  25. M. Gorska, J.R. Anderson, G. Kido, S.M. Green, Z. Golacki. Phys. Rev. B, 45, 11702 (1992)
  26. G.A. Bain, J.F. Berry. J. Chem. Educ., 85, 532 (2008)
  27. M. Gorska, J.R. Anderson. Phys. Rev. B, 38, 9120 (1988)
  28. E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, E.I. Slyn'ko. Phys. Rev. B, 66, 085204 (2002)
  29. G. Nimtz, B. Schlicht. In: Narrow-Gap Semiconductors [Springer Tracts in Modern Physics (Berlin--Heidelberg--N. Y.--Tokyo, Springer Verlag, 1983) v. 98, p. 14].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme