"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Molecular Beam Epitaxy of Materials Interfaces with Atomic Precision
Переводная версия: 10.1134/S1063782618050238
Ploog Klaus H.1
1Paul Drude Institute for Solid State Electronics, Berlin, Germany
Email: KlausH.Ploog@t-online.de
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

In this contribution a few selected examples to engineer material interfaces in nanostructured solids with atomic precision by means of molecular beam epitaxy (MBE) are presented. The examples include 2D electron gas systems for quantum transport and mesoscopic physics, quantum cascade lasers, Sb-based materials, ferromagnet-semiconductor heterostructures, as well as oxide materials for electronics and quantum physics. Finally, the prospects to fabricate novel van-der-Waals heterostructures are briefly discussed.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.