"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS2
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020094
Мустафаева С.Н.1, Асадов С.М.2, Керимова Э.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт катализа и неорганической химии Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Исследовано влияние ионов серебра (2 мол%) на диэлектрические свойства и электропроводность выращенных методом Бриджмена--Стокбаргера монокристаллов TlGaS2. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS2<2 мол% Ag> позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда, оценить плотность состояний вблизи уровня Ферми, их разброс, среднее время и среднюю длину прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе. Легирование монокристалла TlGaS2 серебром приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и длины прыжков. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45438.8517
  1. С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ, 40 (4), 612 (1998)
  2. С.Н. Мустафаева. ФТТ, 46 (6), 979 (2004)
  3. С.Н. Мустафаева. Журнал радиоэлектроники, N 8, 1 (2008)
  4. С.Н. Мустафаева. Изв. РАН. Неорг. матер., 42 (5), 530 (2006)
  5. С.Н. Мустафаева. Журнал радиоэлектроники, N 4, 1 (2009)
  6. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. Неорг. матер., 49 (12), 1271 (2013)
  7. В.Г. Гуртовой, А.У. Шелег, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Изв. НAHБ. Сер. физ.-мат. наук, N 2, 98 (2015)
  8. А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, В.А. Чумак, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Вестн. Гродненского гос. ун-та им. Я. Купалы. Сер. 2. Математика. Физика. Информатика, вычислительная техника и управление, 186 (1), 43 (2015)
  9. С.Н. Мустафаева. Все материалы. Энциклопедический справочник, N 10, 74 (2016)
  10. G.E Delgado, A.J. Mora, F.V. Perez, J. Gonzalez. Physica B, 391, 385 (2007)
  11. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники (СПб--М.--Краснодар, 2004)
  12. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ. (М., Мир, 1974)
  13. С.Н. Мустафаева, С.М. Асадов. ФТП, 50 (9), 1159 (2016)
  14. M. Pollak. Phil. Mag., 23, 519 (1971)
  15. К.Р. Аллахвердиев, Е.А. Виноградов, Р.Х. Нани и др. В кн.: Физические свойства сложных полупроводников (Баку, Элм, 1982. с. 55)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.