"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрически активные состояния захвата и переноса заряда, обусловливающие медленную рекомбинацию в кристаллах бромида таллия при низких температурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020057
Кажукаускас В.1, Гарбачаускас Р.1, Савицки С.1
1Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных исследований, Вильнюсский университет, Вильнюс, Литва
Email: vaidotas.kazukauskas@ff.vu.lt
Поступила в редакцию: 28 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Исследовались образцы монокристаллов TlBr, выращенных по методу Бриджмена--Стокбаргера. Установлено, что при межзонном возбуждении светом при температурах ниже 200 K проявляются эффекты замороженной проводимости. При этом выявляются ярко выраженные сверхлинейные зависимости индуцированной (фото-) проводимости от напряженности приложенного электрического поля. Как свидетельствуют результаты исследования термостимулированной проводимости, эти явления могут быть связаны с заполнением ловушечных состояний с энергиями термической активации 0.08-0.12 эВ. Это состояние может быть снято в результате термического гашения при температурах >~=180 K из-за опустошения заполненных после оптической генерации энергетических состояний с энергией активации 0.63-0.65 эВ. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45439.8672
  1. P.J. Sellin. Nucl. Instrum. Meth. A, 513, 332 (2003)
  2. K. Hitomi, M. Matsumoto, O. Muroi, T. Shoji, Y. Hiratate. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 2526 (2002)
  3. K. Hitomi, M. Matsumoto, O. Muroi, T. Shoji, Y. Hiratate. J. Cryst. Growth, 225, 129 (2001)
  4. K. Hitomi, T. Onodera, T. Shoji, Y. Hiratate, Z. He. IEEE Trans. Nucl. Sci., 55, 1781 (2008)
  5. R.A. dos Santos, C.H. de Mesquita, J.B.R. da Silva, C. de Melo Ferraz, F.E. da Costa, J.F.T. Martins, R.F. Gennari, M.M. Hamada. Adv. Mater. Sci. Eng., 2017, 1750517 (2017)
  6. T. Onodera, K. Hitomi, T. Shoji. Nucl. Instrum. Meth. A, 568, 433 (2006)
  7. K. Hitomi, T. Shoji, K. Ishii. J. Cryst. Growth, 379, 93 (2013)
  8. K.H. Kim, E. Kim, H. Kim, R. Tappero, A.E. Bolotnikov, G.S. Camarda, A. Hossain, L. Cirignano, R.B. James. J. Appl. Phys., 114, 133701 (2013)
  9. S.R. Bishop, H.L. Tuller, M. Kuhn, G. Ciampi, W. Higgins, K.S. Shah. Phys. Chem. Chem. Phys., 15, 11926 (2013)
  10. S.R. Bishop, W. Higgins, G. Ciampi, A. Churilov, K.S. Shah, H.L. Tuller. J. Electrochem. Soc., 158, J47 (2011)
  11. J. Vaitkus, V. Kavzukauskas, R. Kiliulis, J. Storasta. Inst. Phys. Conf. Ser., 136, 755 (1994)
  12. R. Kiliulis, V. Kavzukauskas, J. Storasta, J.-V. Vaitkus. J. de Physique I, 6, 1165 (1996)
  13. V. Kavzukauskas, A. Ziminskij, J.V. Vaitkus, V. Gostilo, M. Shorohov. Nucl. Instrum. Meth. A, 607, 123 (2009)
  14. G. Lucovsky. Solid State Commun., 3, 299 (1965)
  15. G. Kavaliauskiene, V. Kavzukauskas, V. Rinkevivcius, J. Storasta, J.V. Vaitkus, R. Bates, V. O'Shea, K.M. Smith. Appl. Phys. A. Mater. Sci. Proc., 69, 415 (1999)
  16. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Phys. Rev. B, 5, 1619 (1972)
  17. V. Kavzukauskas, A. Jurgilaitis, J.-V. Vaitkus. Proc. SPIE, 6596, C5960 (2007)
  18. L. Grigorjeva, D. Millers. Nucl. Instrum. Meth. B, 191, 131 (2002)
  19. L. Grigorjeva, D. Millers. Electrochem. Soc. Proc., 98, 438 (1998)
  20. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976). M.K. Sheinkman, A.Y. Shik. Sov. Phys. Semicond., 10, 128 (1976)
  21. V. Kavzukauskas. J. Appl. Phys., 84, 2053 (1998)
  22. V. Kavzukauskas, J. Vaitkus. Z. Phys. B. Condens. Matter, 94, 401 (1994)
  23. J. Vaitkus, R. Baubinas, E. Gaubas, K. Jaravsi\=unas, R. Javsinskaite, V. Kavzukauskas, E. Kuprusevivcius, J. Matukas, V. Palenskis, J. Storasta, M. S\=udvzius, R. Tomavsi\=unas. Nucl. Instrum. Meth. A, 466, 39 (2001)
  24. J. Vaitkus, J. Banys, V. Gostilo, S. Zatoloka, A. Mekys, J. Storasta, A. vZindulis. Nucl. Instrum. Meth. A, 546, 188 (2005)
  25. R.H. Bube. Photoconductivity of Solids (N.Y., John Wiley and Sons, Inc., 1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.