"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020100
Ормонт М.А. 1, Звягин И.П. 1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Email: ormont@phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 27 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Исследовано влияние эффектов гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников. Показано, что зависимость предэкспоненциального множителя резонансного интеграла от межцентрового расстояния в паре обусловливает резкость смены механизмов проводимости в окрестности перехода частотной зависимости вещественной части проводимости sigma1(omega) от сублинейной к квадратичной. Резкость смены режимов проводимости связана с быстрым уменьшением длины прыжка с ростом частоты в окрестности кроссовера, что приводит к существенному относительному уменьшению вклада от бесфононной компоненты проводимости в режиме с переменной длиной прыжка с ростом частоты и переходу к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45437.8566
  1. F. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Berlin-N. Y., Springer, 2003)
  2. Г. Фрелих. Теория диэлектриков. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери (пер. с англ.) (М., ИЛ, 1960)
  3. I.P. Zvyagin. In: Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics, ed. by S. Baranovski (John Wiley \& Sons, Chichester, 2006) p. 339
  4. E. Helgren, N.P. Armitage, G. Gruner. Phys. Rev. B, 69, 014201 (2004)
  5. M. Hering, M. Scheffler, M. Dressel, H.v. Lohneysen. Phys. Rev. B, 75, 205203 (2007)
  6. E. Ritz, M. Dressel. Phys. Status Solidi C, 5, 703 (2008)
  7. М. Pollak, T.H. Geballe. Phys. Rev., 122, 1742 (1961)
  8. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 81, 406 (1981)
  9. N.F. Mott. Phil. Mag., 22, 7 (1970)
  10. И.П. Звягин, М.А. Ормонт. Вестн. Моск. ун-та. Физика, Астрономия, N 4, 44 (2008)
  11. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  12. М.А. Ормонт, И.П. Звягин. ФТП, 49 (4), 449 (2015)
  13. М.А. Ормонт. ФТП, 49 (10), 1314 (2015)
  14. A.L. Efros. Phil. Mag. B, 43, 829 (1981)
  15. I.G. Austin, N.F. Mott. Adv. Phys., 18, 41 (1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.