"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020045
Калыгина В.М.1, Ремезова И.Л.1, Толбанов О.П.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Исследовано влияние отжига в аргоне при температурах Tan=700 - 900oC на вольт-амперные характеристики структур металл-Ga2O3-GaAs. Образцы получали термическим напылением порошка Ga2O3 на пластины GaAs с концентрацией доноров Nd=2·1016 см-3. Для измерений вольт-амперных характеристик напыляли металлические V/Ni электроды: верхний электрод на пленку Ga2O3 через маски с площадью Sk=1.04·10-2 см2 (затвор) и нижний электрод к GaAs в виде сплошной металлической пленки. После отжига в аргоне при Tan ≥ 700oC структуры Ga2O3-n-GaAs приобретают свойства изотипных гетеропереходов n-типа. Показано, что проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях рост тока с повышением напряжения и температуры обусловлен термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобладает туннелирование электронов через вершину потенциального барьера, облегченное фононами. Отжиг при высокой температуре не изменяет концентрацию электронов в оксидной пленке, но влияет на энергетическую плотность поверхностных состояний на границе GaAs-Ga2O3. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45436.8597
  1. N. Ueda, H. Hosono, R. Wasseda, H. Kawazoe. Appl. Phys. Lett., 70, 3561 (1997)
  2. В.М. Калыгина, И.А. Прудаев, И.Л. Ремезова, О.П. Толбанов. ФТП, (в печати)
  3. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  4. S. Ashok, J.M. Borrego, R.J. Gutman. Sol. St. Electron., 22, 621 (1979)
  5. M.K. Hudait, S.B. Krupanidhi. Sol. St. Electron., 44, 1089 (2000)
  6. F. Zhang, M. Arita, X. Wang, Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, T. Motooka, Q. Guo. Appl. Phys. Lett., 109, 102105 (2016)
  7. F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 26, 9624 (2015)
  8. E.G. Vi llora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, T. Ujiie, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, 202120 (2008)
  9. M. Fleischer, J. Giber, H. Meixner. Appl. Phys. A, 54, 560 (1992)
  10. T. Oishi, K. Harada, Y. Koga, M. Kasu. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 030305 (2016)
  11. E.W. Lim, R. Ismail. Electronics, 4, 586 (2015)
  12. F.-C. Chiu. Advances Mater. Sci. Engin., 2014, ID 578168, 18 p
  13. R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegznaite. Sol. St. Commun., 55 (1), 25 (1985)
  14. В.Н. Абакумов, В. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 22 (2), 262 (1988)
  15. П.А. Пипинис, А.К. Римейка, А.В. Пипинене. ФТП, 35 (2), 188 (2001)
  16. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссивич, В. Преттл. ФТТ, 39 (11), 1905, (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.