Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 12 » Статья стр. 1621
<<<>>>
Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45175.38
Гавриленко В.И.1,2, Бовкун Л.С.1,3, Иконников А.В.1,2, Алешкин В.Я.1,2, Криштопенко С.С.1, Антонов А.В.1, Спирин К.Е.1, Михайлов Н.Н.4,5, Дворецкий С.А.5
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: bovkun@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.
PDF версия
В квантовых ямах HgTe/CdHgTe шириной 8 нм с концентрацией электронов (1.7-13)·1011 см-2 проведены исследования осцилляций Шубникова-де-Гааза в диапазоне температур от 1.6 до 40 K. Из анализа температурной зависимости амплитуды осцилляций при целочисленных факторах заполнения определены значения щелей между уровнями Ландау и квантовое время рассеяния. Экспериментальные значения щелей находятся в хорошем согласии с результатами одноэлектронных расчетов энергий уровней в рамках 8-зонной модели Кейна. Полученные экспериментальные значения ширины плотности состояний свидетельствуют о сильном экранировании обменного взаимодействия в квантовых ямах HgTe/CdHgTe. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45175.38
  1. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314 (5806), 1757 (2006)
  2. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. Письма ЖЭТФ, 87 (9), 588 (2008)
  3. А.В. Иконников, A.A. Ластовкин, К.Е. Спирин, М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, К.В. Маремьянин, А.В. Антонов, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Садофьев, N. Samal. Письма ЖЭТФ, 92 (11), 837 (2010)
  4. X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 69 (11), 115340 (2004)
  5. M.V. Yakunin, S.M. Podgornykh, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Phys. E: Low-dim. Systems and Nanostructur., 42 (4), 948 (2010)
  6. M.V. Yakunin, A.V. Suslov, S.M. Podgornykh, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. Phys. Rev. B, 85 (24), 245321 (2012)
  7. D.A. Kozlov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S. Weishaupl, Y. Krupko, J.C. Portal. Appl. Phys. Lett., 105 (13), 132102 (2014)
  8. T. Khouri, M. Bendias, P. Leubner, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, U. Zeitler, N.E. Hussey, S. Wiedmann. Phys. Rev. B, 93 (12), 125308 (2016)
  9. M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, W. Knap, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mihailov. Nanoscale Res. Lett., 7 (1), 534 (2012)
  10. M. Zholudev, F. Teppe, M. Orlita, C. Consejo, J. Torres, N. Dyakonova, M. Czapkiewicz, J. Wrobel, G. Grabecki, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, A. Ikonnikov, K. Spirin, V. Aleshkin, V. Gavrilenko, W. Knap. Phys. Rev. B, 86 (20), 205420 (2012)
  11. B. Buttner, C.X. Liu, G. Tkachov, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, E.M. Hankiewicz, P. Recher, B. Trauzettel, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Nat. Phys., 7 (5), 418 (2011)
  12. A.M. Kadykov, S.S. Krishtopenko, B. Jouault, W. Desrat, M. Marcinkiewicz, J. Torres, S. Ruffenach, C. Consejo, N. Dyakonova, D. But, K. Spirin, S. Morozov, V. Gavrilenko, N. Mikhailov, S.A. Dvoretski, Z.D. Kvon, W. Knap, F. Teppe. Тр. XXI Междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2017) т. 2, с. 465
  13. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев. Успехи физ. наук, 155 (6), 219 (1988)
  14. М.Г. Гаврилов, И.В. Кукушкин. Письма ЖЭТФ, 43 (2), 79 (1986)
  15. E. Stahl, D. Weiss, G. Weimann, K. von Klitzing, K. Ploog. J. of Phys. C: Sol. St. Phys., 18 (26), L783 (1985)
  16. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretski, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnology, 3 (1), 120 (2006)
  17. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
  18. A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Maremyanin, V.Y. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Techn., 26 (12), 125011 (2011)
  19. A. Usher, R.J. Nicholas, J.J. Harris, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 41 (2), 1129 (1990)
  20. D. Weiss, E. Stahl, G. Weimann, K. Ploog, K. von Klitzing. Surf. Sci., 170 (1), 285 (1986)
  21. H.P. Wei, A.M. Chang, D.C. Tsui, M. Razeghi. Phys. Rev. B, 32 (10), 7016 (1985)
  22. A. Isihara, L. Smrcka. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19 (34), 6777 (1986)
  23. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Variable Range Hopping Conduction. In: Electronic Properties of Doped Semiconductors, ed. by B.I. Shklovskii, A.L. Efros (Springer, Berlin-Heidelberg: Berlin-Heidelberg, 1984) p. 202
  24. P.T. Coleridge, R. Stoner, R. Fletcher. Phys. Rev. B, 39 (2), 1120 (1989)
  25. P.T. Coleridge. Phys. Rev. B, 44 (8), 3793 (1991)
  26. A. Endo, Y. Iye. J. Phys. Soc. Jpn, 77 (6), 064713 (2008)
  27. T. Ando, Y. Uemura. J. Phys. Soc. Jpn, 36 (6), 1521 (1974)
  28. G. Landwehr, J. Gerschutz, S. Oehling, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, C.R. Becker. Phys. E: Low-Dim. Systems and Nanostructur., 6 (1-4), 713 (2000)
  29. X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 65 (4), 045324 (2002)
  30. M. Califano, T. Chakraborty, P. Pietilainen, C.M. Hu. Phys. Rev. B, 73 (11), 113315 (2006)
  31. Y.S. Gui, C.R. Becker, N. Dai, J. Liu, Z.J. Qiu, E.G. Novik, M. Schafer, X.Z. Shu, J.H. Chu, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 70 (11), 115328 (2004)
  32. I.M. Lifzhitz, A.M. Kosevich. JETP, 29 (4), 730 (1956)
  33. D. Shoenberg. Magnetic Oscillations in Metals. Cambridge Monographs on Physics (Cambridge, Cambridge University Press, 1984)
  34. С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, К.П. Калинин, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 49 (12), 196 (2015)
  35. Л.С. Бовкун, С.С. Криштопенко, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, К.Е. Спирин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В.И. Гавриленко. ФТП, 49 (12), 1676 (2015)
  36. A. Pfeuffer-Jeschke, F. Goschenhofer, S.J. Cheng, V. Latussek, J. Gerschutz, C.R. Becker, R.R. Gerhardts, G. Landwehr. Phys. B: Condens. Matter, 256- 258, 486 (1998)
  37. Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский, О.А. Миронов, М. Миронов, Д. Ледли. Физика низких температур, 32 (1), 109 (2006)
  38. И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, М. Миронов, Д. Ледли. Физика низких температур, 35 (2), 188 (2009)
  39. P.T. Coleridge. Semicond. Sci. Techn., 12 (1), 22 (1997)
  40. B.A. Piot, D.K. Maude, M. Henini, Z.R. Wasilewski, K.J. Friedland, R. Hey, K.H. Ploog, A.I. Toropov, R. Airey, G. Hill. Phys. Rev. B, 72 (24), 241201 (2005)
  41. S.S. Krishtopenko, I. Yahniuk, D.B. But, V.I. Gavrilenko, W. Knap, F. Teppe. Phys. Rev. B, 94 (24), 245402 (2016)
  42. M. Orlita, K. Masztalerz, C. Faugeras, M. Potemski, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 83 (11), 115307 (2011)
  43. М.С. Жолудев, F. Teppe, С.В. Морозов, M. Orlita, C. Consejo, S. Ruffenach, W. Knap, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. Письма ЖЭТФ, 100 (12), 895 (2014)
  44. В.В. Платонов, Ю.Б. Кудасов, И.В. Макаров, Д.А. Маслов, О.М. Сурдин, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, В.И. Гавриленко, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. ФТП, 49 (12), 1660 (2015)
  45. M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, S.S. Krishtopenko, A.M. Kadykov, C. Consejo, D.B. But, W. Desrat, E. Knap, J. Torres, A.V. Ikonnikov, K.E. Spirin, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe. Phys. Rev. B, 96 (3), 035405 (2017)
  46. A.V. Ikonnikov, S.S. Krishtopenko, O. Drachenko, M. Goiran, M.S. Zholudev, V.V. Platonov, Y.B. Kudasov, A.S. Korshunov, D.A Maslov, I.V. Makarov, O.M. Surdin, A.V. Philippov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, F. Teppe, W. Knap, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Phys. Rev. B, 94 (15), 155421 (2016)
  47. T. Ando, Y. Uemura. J. Phys. Soc. Jpn, 37 (4), 1044 (1974)
  48. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 23 (38), 385601 (2011)
  49. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24 (13), 135601 (2012)
  50. С.С. Криштопенко, К.П. Калинин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев, M. Goiran. ФТП, 46 (9), 1186 (2012)
  51. S.S. Krishtopenko, V. Gavrilenko, M. Goiran. Sol. St. Phenomena, 190, 554 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme