"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
Министерство образования и науки Российской Федерации, Грант президента РФ, МК-6923.2016.2
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 17-12-01360
Румянцев В.В.1,2, Кадыков А.М.1, Фадеев М.А.1, Дубинов А.А.1,2, Уточкин В.В.1,2, Михайлов Н.Н.3,4, Дворецкий С.А.4, Морозов С.В.1,2, Гавриленко В.И.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 5 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

Исследуются фотолюминесценция и стимулированное излучение на межзонных переходах в квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон 25-60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантово-каскадных лазеров. В работе обсуждаются оптимальные дизайны квантовых ям для достижения длинноволнового стимулированного излучения при оптической накачке. Показано, что узкие квантовые ямы из чистого HgTe оказываются перспективнее для длинноволновых лазеров по сравнению с широкими (потенциальными) ямами из твердого раствора за счет подавления оже-рекомбинации. Продемонстрировано, что технология молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет получать структуры для локализации излучения с длиной волны вплоть до 25 мкм при высокой скорости роста. Получено стимулированное излучение на длинах волн 14-6 мкм с пороговой интенсивностью накачки в диапазоне 100-500 Вт/см2 при 20 K. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45174.37
  1. M.S. Vitiello et al. Opt. Express, 23 (4), 5167 (2015)
  2. B.S. Williams. Nature Photonics, 1 (9), 517 (2007)
  3. M. Bahriz et al. Opt. Express, 23 (2), 1523 (2015)
  4. A.N. Baranov, M. Bahriz, R. Teissier. Opt. Express, 24 (16), 18799 (2016)
  5. R. Colombelli et al. Appl. Phys. Lett., 78 (18), 2620 (2001)
  6. K. Ohtani, M. Beck, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 105 (12), 121115 (2014)
  7. J. Ulrich et al. Appl. Phys. Lett., 80 (20), 3691 (2002)
  8. L.N. Kurbatov et al. JETP Lett., 37 (9), 499 (1983)
  9. K.V. Maremyanin et al. Semiconductors, 50 (12), 1669 (2016)
  10. D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
  11. V.S. Varavin, V.V.V., S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, M.V.Y. A.O. Suslyakov, A.L. Aseev. Opto-Electronics Rev., 11 (2), 99 (2003)
  12. S.V. Morozov et al. Appl. Phys. Lett., 104 (7), 072102 (2014)
  13. V.V. Rumyantsev et al. Semicond. Sci. Techn., 28 (12), 125007 (2013)
  14. S. Dvoretsky et al. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
  15. N.N. Mikhailov et al. Intern. J. Nanotechnology, 3 (1), 120 (2006)
  16. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314 (5806), 1757 (2006)
  17. V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, V. Ryzhii. JETP Lett., 89 (2), 63 (2009)
  18. S. Boubanga-Tombet et al. Phys. Rev. B, 85 (3), 035443 (2012)
  19. T. Watanabe et al. New J. Phys., 15 (7), 075003 (2013)
  20. J. Dimmock, I. Melngailis, A. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16 (26), 1193 (1966)
  21. A.A. Andronov et al. Semiconductors, 42 (2), 179 (2008)
  22. A.A. Andronov et al. Semiconductors, 40 (11), 1266 (2006)
  23. J.M. Arias et al. Semicond. Sci. Techn., 8 (1S), S255 (1993)
  24. J. Bleuse et al. J. Cryst. Growth, 197 (3), 529 (1999)
  25. J. Bonnet-Gamard et al. J. Appl. Phys., 78 (12), 6908 (1995)
  26. E. Hadji et al. Appl. Phys. Lett., 68 (18), 2480 (1996)
  27. V.S. Varavin et al. Proc. SPIE, 5136, 381 (2003)
  28. S.V. Morozov et al. Appl. Phys. Lett., 108 (9), 092104 (2016)
  29. V.V. Rumyantsev et al. Semiconductors, 50 (12), 1654 (2016)
  30. M.S. Zholudev et al. Nanoscale Res. Lett., 7 (1), 534 (2012)
  31. A.V. Ikonnikov et al. JETP Lett., 92 (11), 756 (2010)
  32. V.V. Rumyantsev et al. Semiconductors, 47 (11), 1438 (2013)
  33. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58 (7), 4039 (1998)
  34. S. Ruffenach et al. APL Materials, 5 (3), 035503 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.