"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
Юрасов Д.В.1,2, Дроздов М.Н.1, Шмагин В.Б.1, Новиков А.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: Inquisitor@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

Исследована сегрегация Sb в слоях Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111), (110), (115), и проведено сравнение полученных результатов для этих ориентаций с результатами для наиболее распространенной ориентации (001). Обнаружено, что качественно ход температурных зависимостей коэффициента сегрегации Sb (r) схож для всех исследованных ориентаций, в частности можно выделить два характерных температурных интервала, соответствующих режиму кинетических ограничений и термодинамически равновесному режиму сегрегации. Однако количественно данные для величины r при исследованных ориентациях заметно отличаются от таковых для (001) при одинаковых температурах. Обнаруженные на зависимостях r от температуры роста участки, где r меняется на 5 порядков в узком интервале температур, позволили адаптировать метод селективного легирования, основанный на контролируемом использовании эффекта сегрегации, предложенный авторами ранее для структур на Si(001), к структурам, выращенным на подложках Si иных ориентаций. С помощью данного метода были изготовлены селективно-легированные структуры Si : Sb/Si(111), в которых изменение концентрации Sb на порядок происходит на масштабах в несколько нанометров. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45173.36
  1. R.A. Metzger, F.G. Allen. J. Appl. Phys., 55, 931 (1984)
  2. H. Jorke. Surf. Sci., 193, 569 (1988)
  3. H.-J. Gossmann, E.F. Schubert. Crit. Rev. Sol. St. Mater. Sci., 18, 1 (1993)
  4. K.D. Hobart, D.J. Godbey, M.E. Twigg, M. Fatemi, P.E. Thompson, D.S. Simons. Surf. Sci., 334, 29 (1995)
  5. J.F. Nutzel, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 53, 13551 (1996)
  6. C.B. Arnold, M.J. Aziz. Phys. Rev. B, 72, 195419 (2005)
  7. I. Berberzier, J.P. Ayoub, A. Ronda, M. Oehme, K. Lyutovich, E. Kasper, M. Di Marino, G. Bisognin, E. Napolitani, M. Berti. J. Appl. Phys., 107, 034309 (2010)
  8. D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 109, 113533 (2011)
  9. D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, N.D. Zakharov, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 396, 66 (2014)
  10. T. Low, M.F. Li, C. Shen, Y.-C. Yeo, Y.T. Hou, C. Zhu, A. Chin, D.L. Kwong. Appl. Phys. Lett., 85, 2402 (2004)
  11. A. Majumdar, C. Ouyang, S.J. Koester, W. Haensch. IEEE Trans. Electron. Dev., 57, 9 (2010)
  12. E. Gatti, F. Isa, D. Chrastina, E. Muller Gubler, F. Pezzoli, E. Grilli, G. Isella. J. Appl. Phys., 116, 043518 (2014)
  13. J.D. Brown, R. Borges, P.E. Vescan, S. Singhal, R. Therrien. Solid State Electron., 46, 1535 (2002)
  14. H.P.D. Schenk, E. Frayssinet, A. Bavard, D. Rondi, Y. Cordier, M. Kennard. J. Cryst. Growth, 314, 85 (2011)
  15. K. Nakagawa, M. Miyao, Y. Shiraki. Thin Sol. Films, 183, 315 (1989)
  16. M. Ladeveze, F. Bassani, F. Arnaud d'Avitaya, G. Treglia. C. Dubois, R. Stuck. Phys. Rev. B, 56, 7615 (1997).
  17. П.В. Волков, А.В. Горюнов, А.Ю. Лукьянов, А.Д. Тертышник, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, В.Д. Кузьмин. ФТП, 46, 1505 (2012)
  18. D.V. Yurasov, A.Yu. Luk'yanov, P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.D. Tertyshnik, M.N. Drozdov, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 413, 42 (2015)
  19. S.A. Barnett, G.E. Greene. Surf. Sci., 151, 67 (1985)
  20. A.A. Baski, S.C. Erwin, L.J. Whitman. Surf. Sci., 392, 69 (1997)
  21. G.-H. Lu, M. Huang, M. Cuma, F. Liu. Surf. Sci., 588, 61 (2005)
  22. D.J. Eaglesham, H.-J. Gossmann, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 65, 1227 (1990)
  23. B. Voigtlander, A. Zinner, T. Weber, H.P. Bonzel. Phys. Rev. B, 51, 7583 (1995)
  24. G.G. Jernigan, P.E. Thompson. Thin Sol. Films, 380, 1147 (2000)
  25. K. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, M. Takahashi. Surf. Sci., 164, 367 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.