Вышедшие номера
Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе
Цуканов А.В.1,2, Чекмачев В.Г.1,2
1Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
Email: vgchekmachev@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Приведена схема оптического квантового сенсора внешнего электрического поля на основе двойной квантовой точки, помещенной в высокодобротный полупроводниковый микрорезистор. Разработана модель динамических процессов, происходящих в данной системе, исследованы ее спектральные характеристики, а также проведено изучение шумовой устойчивости сенсора. Показано, что благодаря особенностям дизайна подобное устройство обладает некоторыми преимуществами, такими, как высокая чувствительность, наличие различных каналов для возбуждения и измерения, возможность точного определения пространственного распределения поля. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44890.8485