"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с p-n-переходами. I. Физика процесса переключения
Кюрегян А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
Email: semlab@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Впервые проведено численное моделирование процесса переключения высоковольтных кремниевых фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров под действием квазиоднородного по площади освещения пикосекундными лазерными импульсами. Анализ результатов позволил получить эмпирические" соотношения между основными параметрами коммутаторов (энергией управляющих импульсов, коэффициентом поглощения излучения, площадью структур) и параметрами, характеризующими переходный процесс переключения в цепи с активной нагрузкой. Для некоторых из этих соотношений выведены приближенные аналитические формулы, хорошо описывающие результаты моделирования. Отмечено, что различия между процессами коммутации в трех типах структур проявляются только при больших длительностях импульсов на заключительной стадии, когда восстанавливается блокирующая способность фотодиодов и фототранзисторов. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44891.8494
  1. И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 8, 672 (1974)
  2. И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 10, 345 (1976)
  3. O.S.F. Zucker, J.R. Long, V.I. Smith, D.J. Page, P.L. Hower. Appl. Phys. Lett., 29, 261 (1976)
  4. В.М. Волле, И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Г. Чашников. Письма ЖТФ, 3 (20), 1077 (1977)
  5. И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Н. Яссиевич. ЖТФ, 49, 1013 (1979)
  6. В.М. Волле, В.М. Воронков, И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Г. Чашников. ЖТФ, 51 (2), 373 (1981)
  7. И.В. Грехов, В.Г. Сергеев, М.Е. Левинштейн, И.Г. Чашников, В.М. Волле, В.М. Воронков, И.Н. Яссиевич. Патент СССР N 730227. Опубл. 07.10.1982 г., Бюллетень N 37
  8. D. Giorgi, P.K.L. Yu, J.R. Long, V.D. Lew, T. Navapanich, O.S.F. Zucker. J. Appl. Phys., 63, 930 (1988)
  9. J.H. Hur, P. Hadizad, S.G. Hummel, K.M. Dzurko, P.D. Dapkus H.R. Fetterman, M.A. Gundersen. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 2520 (1990)
  10. H.D. Sanders, S.C. Glidden, D.M. Warnow. In: 2011 IEEE Pulsed Power Conference, (IEEE, 2011) p. 794
  11. S.C. Glidden, H.D. Sanders. US Patent N 8, 461, 620 B2 (2013)
  12. http://www.ipgphotonics.com/category/4/Lasers
  13. И.В. Грехов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 13, 1710 (1979)
  14. И.В. Грехов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 14, 1747 (1980)
  15. А.С. Кюрегян. ФТП, 48, 1686 (2014)
  16. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Solid-State Electron., 30, 579 (1987)
  17. M.A. Green. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 92, 1305 (2008)
  18. D. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  19. H. Benda, F. Dannhauser. Solid-State Electron., 11, 1 (1968)
  20. И.В. Грехов, А.С. Кюрегян. ЖТФ, 75, 88 (2005)
  21. J. Lutz, R. Baburske. Microelectron. Reliab., 52, 475 (2012)
  22. H.-J. Schulze, F.-J. Niedernostheide, F. Pfirsch, R. Baburske. IEEE Trans. Electron Dev., 60, 551 (2013)
  23. А.В. Горбатюк, Д.В. Гусин, Б.В. Иванов. ФТП, 47, 373 (2013)
  24. J.L. Moll, I.M. Ross. Proc. IRE, 44, 72 (1956)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.