"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
Юферев В.С.1, Левинштейн М.Е., Иванов П.А.1, Zhang Jon Q.2, Palmour John W.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Wolfspeed, A Cree company, Research Triangle Park, NC, USA
Email: Melev@nimis.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

В рамках одномерного численного моделирования исследованы основные физические процессы, определяющие переходной процесс выключения биполярного SiC-транзистора из режима глубокого насыщения. Исследован процесс выключения в режиме обрыва базового тока и в режиме выключения отрицательным (выключающим) током базы. Показано, что при вполне реалистических значениях выключающего базового тока время выключения может быть уменьшено в ~40 раз по сравнению с временем выключения при нулевом базовом токе. Время задержки также может быть существенно, в несколько раз, сокращено. Отмечается, что в режиме глубокого насыщения, когда реализуется интенсивная модуляция проводимости коллекторного слоя, транзистор может работать в непрерывном режиме при весьма высокой плотности тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44889.8540
  1. A. Agarwal, J. Muth, P. Gradzki, L. Marino, R. Ivester, N. Justice. Mater. Sci. Forum, 858, 797 (2016)
  2. S. Ryu, A. Agarwal, R. Singh, J.W. Palmour. 58th IEEE Device Research Conf. Dig (Denver, Colorado, USA, June 19--21, 2000) p. 133
  3. S. Ryu, A. Agarwal, R. Singh, J.W. Palmour. IEEE Electron Dev. Lett., 22, 124 (2001)
  4. S. Krishnaswami, A. Agarwal, Ryu Sei-Hyung, C. Capell, J. Richmond, J. Palmour, S. Balachandran, T.P. Chow, S. Bayne, B. Geil, K. Jones, C. Scozzie. IEEE Electron Dev. Lett., 26, 175 (2005)
  5. Q.J. Zhang, A. Agarwal, Al Burk, B. Geil, C. Scozzie. Sol. St. Electron., 52, 1008 (2008)
  6. H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, J. Suda. IEEE Electron Dev. Lett., 33, 1598 (2012)
  7. S. Balachandran, T.P. Chow, A. Agarwal, C. Scozzie, K.A. Jones. IEEE Electron Dev. Lett., 26, 470 (2005)
  8. M. Domeij, C. Zaring, A. Konstantinov, M. Nawaz, J.-O. Svedberg, K. Gumaelius, I. Keri, A. Lindgren, B. Hammarlund, M. Ostling, K. Reimark. Mater. Sci. Forum, 645--648, 1033 (2010)
  9. R. Ghandi, B. Buono, M. Domeij, C. Zetterling, M. Ostling. Mater. Sci. Forum, 679--680, 706 (2011)
  10. Y. GAO. https://repository.lib.ncsu.edu/handle/1840.16/4818
  11. B. Benedetto, R. Ghandi, M. Domeij, B.G. Malm, C-M. Zetterling, M. Ostling. IEEE Trans. Electron. Dev., 58, 2081 (2011)
  12. V.S. Yuferev, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.Q. Zhang, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 123, 130 (2016)
  13. P.A. Ivanov, V.S. Yuferev, M.E. Levinshtein, J.Q. Zhang, J.W. Palmour. Abstracts 11th Eur. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM-2016), Halkidiki, Greece, September 25--29, 2016) p. 407
  14. И.П. Степаненко. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (М.--Л., Госэнергоиздат, 1963)
  15. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 48, 491 (2004)
  16. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, A.K. Agarwal, J. Zhang. Semicond. Sci. Technol., 25, 045030 (2010)
  17. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 142 (2002)
  18. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Sol. St. Electron., 47 1255 (2003)
  19. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Phys. Rev. Lett., 99, 176601 (2007)
  20. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, N. Y., 2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.