"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
Бочкарева Н.И.1, Вороненков В.В.1, Горбунов Р.И.1, Вирко М.В.2, Коготков В.С.2, Леонидов А.А.2, Воронцов-Вельяминов П.Н.3, Шеремет И.А.4, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия
Email: y.shreter@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Представлены результаты исследования зависимостей тока и емкости от прямого смещения диодов Шоттки Au/n-GaN, а также спектров подзонного оптического поглощения и дефектной фотолюминесценции объемных кристаллов и тонких слоев n-GaN. Показано, что туннелирование с участием дефектов является доминирующим механизмом транспорта при прямых смещениях контактов Шоттки на n-GaN. Зависимости тока и емкости от прямого смещения отражают энергетический спектр дефектов в запрещенной зоне n-GaN: рост с энергией плотности глубоких состояний, ответственных за желтую фотолюминесценцию в GaN, и резкий экспоненциальный хвост состояний с урбаховской энергией EU=50 мэВ вблизи края зоны проводимости. Уменьшение частоты перескоков электронов вблизи интерфейса Au/n-GaN приводит к широкому распределению локальных времен диэлектрической релаксации и изменению распределения электрического поля в области пространственного заряда при прямых смещениях. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44888.8528
  1. A. Lidow, J. Strydom, M. Rooij, D. Reusch. GaN transistors for efficient power conversion (Chichester, Wiley, 2015)
  2. Z. Yatabe, J.T. Asubar, T. Hashizume. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 393001 (2016)
  3. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, R. Gaska, J.W. Yang, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 73, 1089 (1998)
  4. L.S. Yu, Q.Z. Liu, Q.J. Xing, D.J. Qiao, S.S. Lau, J. Redwing. J. Appl. Phys., 84, 2099 (1998)
  5. K. Suzue, S.N. Mohammad, Z.F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. J. Appl. Phys., 80, 4467 (1996)
  6. D. Yan, J. Jiao, J. Ren, G. Yang, X. Gu. J. Appl. Phys., 114, 144511 (2013)
  7. S. Karmalkar, D.M. Sathaiya, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 82, 3976 (2003)
  8. J. Racko, J. Pechav cek, M. Mikolav sek, P. Benko, A. Grmanova, L. Harmatha, J. Breza. Radioengineering, 21, 213 (2012)
  9. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
  10. E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84, 535 (2004)
  11. T. Sawada, Y. Ito, K. Imai, K. Suzuki, H. Tomozawa, S. Sakai. Appl. Surf. Sci., 159-60, 449 (2000)
  12. Н.И. Бочкарева, И.А. Шеремет, Ю.Г. Шретер. ФТП, 50, 1387 (2016)
  13. V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JE14 (2013)
  14. F. Ioculano. F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri. Appl. Phys. Lett., 90, 092119 (2007)
  15. M. Mamor. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 335802 (2009)
  16. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike. Appl. Phys. Lett., 69, 3537 (1996)
  17. M.A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)
  18. C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 66, 2712 (1995)
  19. O. Ambacher, W. Reiger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzmann. Sol. St. Commun., 97, 365 (1996)
  20. L. Balagurov, P.J. Chong. Appl. Phys. Lett., 68, 43 (1996)
  21. P.B. Klein, S.C. Binari. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1641 (2003)
  22. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, N. Y., 1981)
  23. D. Monroe. Phys. Rev. Lett., 54, 146 (1985)
  24. T. Tiedje, A. Rose. Sol. St. Commun., 37, 49 (1980)
  25. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49, 1714 (2015)
  26. Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 627 (2005)
  27. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47, 129 (2013)
  28. D.V. Lang, J.D. Cohen, J.P. Harbison. Phys. Rev. B, 25, 5285 (1982)
  29. J.D. Cohen, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 25, 5321 (1982)
  30. D.L. Dexter. Phys. Rev., 101B, 48 (1956).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.