"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)
Лебедев М.В. 1, Львова Т.В. 1, Павлов С.И. 1, Седова И.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru, tatyana.lvova.12@mail.ru, pavlov_sergey@mail.ioffe.ru, irina@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Методами рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние растворителя на химический состав сульфидного слоя, образующегося на поверхности GaSb(100). Обработка поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония приводит к формированию толстого (несколько десятков нанометров) покрытия, представляющего собой смесь различных бинарных и тройных сульфидов галлия и сурьмы. Обнаружено различие химического состава пассивирующих сульфидных слоев, сформированных в водном и спиртовом растворах сульфида аммония. Отжиг сульфидного слоя при 360oC приводит к частичной десорбции сурьмы и распаду тройных сульфидов на бинарные составляющие. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44803.8517a
  1. P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
  2. B.M. Nguyen, D. Hoffman, Y. Wei, P.Y. Delaunay, A. Hood, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 90, 231108 (2007)
  3. A.W. Dey, B.M. Borg, B. Ganjipour, M. Ek, K.A. Dick, E. Lind, C. Thelander, L.-E. Wernersson. IEEE Electron Dev. Lett., 34, 211 (2013)
  4. Y. Mizokawa, O. Komoda, S. Miyase. Thin Sol. Films, 156, 127 (1988)
  5. P.S. Dutta, K.S.R. Koteswara Rao, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 77, 4825 (1995)
  6. A.Y. Polyakov, A.G. Milnes, X.L. Li, A.A. Balmashnov, N.B. Smirnov. Solid-State Electron., 38, 1743 (1995)
  7. J. Diaz-Reyes, E. Corona-Organiche, J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez. Mod. Phys. Lett. B, 15, 804 (2001)
  8. M. Perotin, P. Coudray, L. Gouskov, H. Luquet, C. Llinares, J.J. Bonnet, L. Soonckindt, B. Lambert. J. Electron. Mater., 23, 7 (1994)
  9. Z.Y. Liu, T.F. Kuech, D.A. Saulys. Appl. Phys. Lett., 83, 2587 (2003)
  10. J.A. Robinson, S.E. Mahoney. J. Appl. Phys., 96, 2684 (2004)
  11. E.V. Kunitsyna, T.V. L'vova, M.S. Dunaevskii, Ya.V. Terent'ev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 256, 5644 (2010)
  12. D.M. Murare, N. Eassa, J.H. Neethling, R. Betz, E. Coetsee, H.C. Swart, J.R. Botha, A. Venter. Appl. Surf. Sci., 258, 6753 (2012)
  13. B. Wang, Z. Wei, M. Li, G. Liu, Y. Zou, G. Xing, T.T. Tan, S. Li, X. Chu, F. Fang, X. Fang, J. Li, X. Wang, X. Ma. Chem. Phys. Lett., 556, 182 (2013)
  14. M.V. Lebedev, E.V. Kunitsyna, W. Calvet, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 117, 15996 (2013)
  15. D. Tao, Y. Cheng, J. Liu, J. Su, T. Liu, F. Yang, F. Wang, K. Cao, Z. Dong, Y. Zhao. Mater. Sci. Semicond. Proc., 40, 685 (2015)
  16. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  17. T. Mayer, M. Lebedev, R. Hunger, W. Jaegermann. Appl. Surf. Sci., 252, 31 (2005)
  18. S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal., 17, 927 (1991)
  19. J.J. Yeah, I. Lindau. At. Data Nucl. Data Tables, 32, 1 (1985)
  20. G.E. Franklin, D.H. Rich, A. Samsavar, E.S. Hirschorn, F.M. Leibsle, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B, 41, 12619 (1990)
  21. M.T. Sieger, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B, 52, 8256 (1995)
  22. D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
  23. M.V. Lebedev, M. Shimomura, Y. Fukuda. Surf. Interface Anal., 42, 791 (2010)
  24. F.M. Tunez, J. Andrade-Gamboa, J.A. Gonzalez, M.R. Esquivel. Mater. Lett., 79, 202 (2012)
  25. T.V. Lvova, A.L. Shakhmin, I.V. Sedova, M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 311, 300 (2014)
  26. Справочник химика, под ред. Б.П. Никольского, изд. 2-е (М.--Л., Химия, 1966)
  27. Ю.В. Карякин, И.И. Ангелов. Чистые химические вещества, изд. 4-е (М., Химия, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.