"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)
Лебедев М.В. 1, Львова Т.В. 1, Павлов С.И. 1, Седова И.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru, tatyana.lvova.12@mail.ru, pavlov_sergey@mail.ioffe.ru, irina@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Методами рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние растворителя на химический состав сульфидного слоя, образующегося на поверхности GaSb(100). Обработка поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония приводит к формированию толстого (несколько десятков нанометров) покрытия, представляющего собой смесь различных бинарных и тройных сульфидов галлия и сурьмы. Обнаружено различие химического состава пассивирующих сульфидных слоев, сформированных в водном и спиртовом растворах сульфида аммония. Отжиг сульфидного слоя при 360oC приводит к частичной десорбции сурьмы и распаду тройных сульфидов на бинарные составляющие. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44803.8517a
  • P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
  • B.M. Nguyen, D. Hoffman, Y. Wei, P.Y. Delaunay, A. Hood, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 90, 231108 (2007)
  • A.W. Dey, B.M. Borg, B. Ganjipour, M. Ek, K.A. Dick, E. Lind, C. Thelander, L.-E. Wernersson. IEEE Electron Dev. Lett., 34, 211 (2013)
  • Y. Mizokawa, O. Komoda, S. Miyase. Thin Sol. Films, 156, 127 (1988)
  • P.S. Dutta, K.S.R. Koteswara Rao, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 77, 4825 (1995)
  • A.Y. Polyakov, A.G. Milnes, X.L. Li, A.A. Balmashnov, N.B. Smirnov. Solid-State Electron., 38, 1743 (1995)
  • J. Diaz-Reyes, E. Corona-Organiche, J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez. Mod. Phys. Lett. B, 15, 804 (2001)
  • M. Perotin, P. Coudray, L. Gouskov, H. Luquet, C. Llinares, J.J. Bonnet, L. Soonckindt, B. Lambert. J. Electron. Mater., 23, 7 (1994)
  • Z.Y. Liu, T.F. Kuech, D.A. Saulys. Appl. Phys. Lett., 83, 2587 (2003)
  • J.A. Robinson, S.E. Mahoney. J. Appl. Phys., 96, 2684 (2004)
  • E.V. Kunitsyna, T.V. L'vova, M.S. Dunaevskii, Ya.V. Terent'ev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 256, 5644 (2010)
  • D.M. Murare, N. Eassa, J.H. Neethling, R. Betz, E. Coetsee, H.C. Swart, J.R. Botha, A. Venter. Appl. Surf. Sci., 258, 6753 (2012)
  • B. Wang, Z. Wei, M. Li, G. Liu, Y. Zou, G. Xing, T.T. Tan, S. Li, X. Chu, F. Fang, X. Fang, J. Li, X. Wang, X. Ma. Chem. Phys. Lett., 556, 182 (2013)
  • M.V. Lebedev, E.V. Kunitsyna, W. Calvet, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 117, 15996 (2013)
  • D. Tao, Y. Cheng, J. Liu, J. Su, T. Liu, F. Yang, F. Wang, K. Cao, Z. Dong, Y. Zhao. Mater. Sci. Semicond. Proc., 40, 685 (2015)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  • T. Mayer, M. Lebedev, R. Hunger, W. Jaegermann. Appl. Surf. Sci., 252, 31 (2005)
  • S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal., 17, 927 (1991)
  • J.J. Yeah, I. Lindau. At. Data Nucl. Data Tables, 32, 1 (1985)
  • G.E. Franklin, D.H. Rich, A. Samsavar, E.S. Hirschorn, F.M. Leibsle, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B, 41, 12619 (1990)
  • M.T. Sieger, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B, 52, 8256 (1995)
  • D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
  • M.V. Lebedev, M. Shimomura, Y. Fukuda. Surf. Interface Anal., 42, 791 (2010)
  • F.M. Tunez, J. Andrade-Gamboa, J.A. Gonzalez, M.R. Esquivel. Mater. Lett., 79, 202 (2012)
  • T.V. Lvova, A.L. Shakhmin, I.V. Sedova, M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 311, 300 (2014)
  • Справочник химика, под ред. Б.П. Никольского, изд. 2-е (М.--Л., Химия, 1966)
  • Ю.В. Карякин, И.И. Ангелов. Чистые химические вещества, изд. 4-е (М., Химия, 1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.