"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
Сокура Л.А. 1, Пархоменко Я.А. 1, Моисеев К.Д. 1, Неведомский В.Н. 1, Берт Н.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sokura@mail.ioffe.ru, yana_parkhom@rambler.ru, mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T=450-467oC. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~30-50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1·1010 см-2) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44804.8533
  1. В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 48, 938 (2014)
  2. F. Dore, C. Cornet, P. Caroff, A. Ballestar, J. Even, N. Bertru, O. Dehaese, I. Alghoraibi, H. Folliot, R. Piron, A. Le Corre, S. Loualiche. Phys. Status Solidi C, 3, 3920 (2006)
  3. N. Bertru, O. Brandt, M. Wassermeier, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 68, 31 (1996)
  4. P. Mock, G.R. Booker, N.J. Mason, R.J. Nicholas, E. Aphandery, T. Topuria, N.D. Browning. Mater. Sci. Eng. B, 80, 112 (2001)
  5. S. Shusterman, Y. Paltiel, A. Sher, V. Ezersky, Y. Rosenwaks. J. Cryst. Growth, 291, 363 (2006)
  6. N. Deguffroy, V. Tasco, A.N. Baranov, E. Tournie, B. Satpari, A. Trampert, M. Dunaevski, A. Titkov, M. Ramonda. J. Appl. Phys., 101, 124309 (2007)
  7. Я.А. Пархоменко, П.А. Дементьев, К.Д. Моисеев. ФТП, 50, 993 (2016)
  8. К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 1142 (2009)
  9. Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 890 (2003)
  10. Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, И.К. Королев, А.Е. Романов, А.Б. Фрейдин, В.В. Чалдышев, E.C. Aifantis. ФТТ, 53 (10), 1986 (2011)
  11. N.A. Bert, V.N. Nevedomskiy, L.A. Sokura. J. Phys.: Conf. Ser., 586, 012004 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.