"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах GaxIn1-xP на их структурные и морфологические свойства
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.2, Калюжный Н.А.2, Минтаиров С.А.2, Николаев Д.Н.2, Prutskij Тatiana3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Privada 17 Norte, N, Col San Miguel Hueyotlipan, Puebla, Pue., Mexico,
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Комплексом структурных и микроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1-xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn1-xP на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых изменение параметра кристаллической решетки и, как следствие, понижение симметрии кристалла, а также образование двух различных типов нанорельефа поверхности. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов GaxIn1-xP с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44802.8480
  1. K. Uchida, K. Satoh, K. Asano, A. Koizumi, S. Nozaki. J. Cryst. Growth, 370, 136 (2013)
  2. A. Zunger. MRS Bull., 22, 20 (1997)
  3. S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 49, 14337 (1994)
  4. H.S. Lee, J.Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 82, 2999 (2003)
  5. S.P. Ahrenkiel, K.M. Jones, R.J. Matson, M.M. Al-Jassim, Y. Zhang, A. Mascarenhas, D.J. Friedman, D.J. Arent, J.M. Olson, M.C. Hanna. MRS Proc., 583, 243 (1999)
  6. P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij, Semiconductors, 47, 1 (2013)
  7. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
  8. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, L.A. Bityutskaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I. S. Tarasov. J. Surf. Investig. X-Ray Synchrotron Neutron Tech., 2, 133 (2008)
  9. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Semiconductors, 40, 406 (2006)
  10. H. Dumont, L. Auvray, J. Dazord, Y. Monteil, O. Marty, M. Pitaval. Thin Solid Films, 458, 154 (2004)
  11. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Y. Zhang, A. Mascarenhas. Appl. Phys. Lett., 67, 2347 (1995)
  12. S.H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B Condens. Matter, 41, 8240 (1990)
  13. D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. Appl. Phys., 34, 1461-5 (2001)
  14. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  15. P.V. Seredin, V.E. Ternovaya, A.V. Glotov, A.S. Len'shin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov. Phys. Solid. State, 55, 2161 (2013)
  16. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III--V and II--VI Semiconductors (Wiley, Chichester, U.K, 2009)
  17. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 1106 (2010)
  18. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 1106 (2010)
  19. A. Gomyo, T. Suzuki, S. Iijima. Phys. Rev. Lett., 60, 2645 (1988)
  20. P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Rudneva, V.E. Rudneva, N.N. Gordienko, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 43, 1221 (2009)
  21. G.P. Srivastava, J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 31, 2561-4 (1985)
  22. M.A. Steiner, L. Bhusal, J.F. Geisz, A.G. Norman, M.J. Romero, W.J. Olavarria, Y. Zhang, A. Mascarenhas. J. Appl. Phys., 106, 63525 (2009)
  23. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006)
  24. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, E.A. Dolgopolova, I.E. Zanin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 39, 336 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.