"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сверхпроводящие свойства (Pb0.05Sn0.95)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия
Михайлин Н.Ю.1, Парфеньев Р.В.1, Черняев А.В.1, Шамшур Д.В.1, Андрианов Г.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: chernyaevav@yandex.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Изучены сверхпроводящие свойства полупроводникового сплава Pb0.05Sn0.95Te, легированного 5 ат.% In, при гидростатическом сжатии P<7 кбар. При увеличении давления P>1.35 кбар исчезает скачок сопротивления к rho=0 на температурных и магнитополевых зависимостях электросопротивления rho(T) при T≥1.3 K и rho(H), соответствующих переходу в сверхпроводящее состояние. Экспериментальные результаты свидетельствуют об уменьшении плотности состояний на уровне Ферми с ростом давления, что можно интерпретировать как смещение уровня индия вглубь валентной зоны. Полученные данные уточняют и дополняют результаты работ по изучению барических зависимостей критических параметров сверхпроводящего перехода в (PbzSn1-z)0.95In0.05Te с различным содержанием свинца z. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44788.57
  • G. Balakrishnan, L. Bawden, S. Cavendish, M.R. Lees. Phys. Rev. B, 140507(R) (2013)
  • Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов. ФТТ, 43, 1772 (2001)
  • Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компанеец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ, 28, 1094 (1986)
  • А.В. Березин, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ, 35, 53 (1993)
  • В.И. Козуб, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, Д.В. Шакура, А.В. Черняев, С.А. Немов. Письма ЖЭТФ, 84, 37 (2006)
  • Г.О. Андрианов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев. ФТТ, 52, 1688 (2010)
  • Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов. Физика низких температур, 41, 147 (2015)
  • Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов. ФТТ, 41, 2132 (1999)
  • М.А. Шубников. Приборы и техника эксперимента, 5, 178 (1981)
  • Г.О. Андрианов, В.И. Козуб, Н.Ю. Михайлин, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев. Тез. докл. XII Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, 21-25 сентября 2015) с. 219
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.