"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура пластин твердого раствора Bi2Se0.3Te2.7, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена
Демчегло В.Д.1, Воронин А.И.1, Табачкова Н.Ю.1, Бублик В.Т.1, Пономарев В.Ф.2
1Национальный исследовательский технологический университет МИСиС, Москва, Россия
2Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение Кристалл", Королев, Россия
Email: demcheglo@misis.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Проведен анализ анизотропии свойств твердого раствора Bi2Se0.3Te2.7 с помощью построения указательных поверхностей для коэффициентов термоэлектрической эффективности и термического расширения. Текстура является важным фактором, формирующим анизотропию свойств и технологическую пригодность слитка для изготовления модулей. Проведен анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры в слитках, полученных модифицированным методом Бриджмена (выращивание термоэлектрических пластин в плоской полости). Анализ текстуры показал, что для предложенного метода кристаллизации существенным фактором, влияющим на формирование структуры термоэлектрического материала, является не только скорость кристаллизации, но и конструктивное исполнение кристаллизационной полости. При уменьшении толщины пластины в результате изменения условий теплоотвода в тонком зазоре можно получить более совершенную структуру. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44789.58
  • Y. Lan, A.J. Minnich, G. Chen, Z. Ren. Adv. FM, 20, 357 (2010)
  • M. Zebarjadi, K. Esfarjani, M.S. Dresselhaus, Z.F. Ren, G. Chen. Energy \& Environ. Sci., 5, 5147 (2012)
  • W. Liu, X. Yan, G. Chen, Z. Ren. Nano Energy, 1, 42 (2012)
  • И.В. Коробейников, Л.Н. Лукьянова, Г.В. Воронцов. ФТТ, 56 (2), 263 (2014)
  • С.В. Овсянников, Ю.А. Григорьева, Г.В. Воронцов. ФТТ, 54 (2), 246 (2012)
  • В.В. Щенников, И.В. Коробейников, Н.В. Морозова. ТЭ, 6, 41 (2013)
  • В.В. Щенников, И.В. Коробейников, Г.В. Воронцов. ТЭ, 5, 32 (2013)
  • Ю.М. Белов, Н. Маекава. Литая пластина, изготовленная из термоэлектрического материала (Патент РФ, 2160484) с. 5
  • Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, Ю.А. Сидоров. Неорг. матер., 35 (1), 44 (1999)
  • Б.М. Гольцман, В.В. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- (М., Наука, 1972) с. 320
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.