"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура пластин твердого раствора Bi2Se0.3Te2.7, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена
Демчегло В.Д.1, Воронин А.И.1, Табачкова Н.Ю.1, Бублик В.Т.1, Пономарев В.Ф.2
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение Кристалл", Королев, Россия
Email: demcheglo@misis.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Проведен анализ анизотропии свойств твердого раствора Bi2Se0.3Te2.7 с помощью построения указательных поверхностей для коэффициентов термоэлектрической эффективности и термического расширения. Текстура является важным фактором, формирующим анизотропию свойств и технологическую пригодность слитка для изготовления модулей. Проведен анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры в слитках, полученных модифицированным методом Бриджмена (выращивание термоэлектрических пластин в плоской полости). Анализ текстуры показал, что для предложенного метода кристаллизации существенным фактором, влияющим на формирование структуры термоэлектрического материала, является не только скорость кристаллизации, но и конструктивное исполнение кристаллизационной полости. При уменьшении толщины пластины в результате изменения условий теплоотвода в тонком зазоре можно получить более совершенную структуру. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44789.58
  1. Y. Lan, A.J. Minnich, G. Chen, Z. Ren. Adv. FM, 20, 357 (2010)
  2. M. Zebarjadi, K. Esfarjani, M.S. Dresselhaus, Z.F. Ren, G. Chen. Energy \& Environ. Sci., 5, 5147 (2012)
  3. W. Liu, X. Yan, G. Chen, Z. Ren. Nano Energy, 1, 42 (2012)
  4. И.В. Коробейников, Л.Н. Лукьянова, Г.В. Воронцов. ФТТ, 56 (2), 263 (2014)
  5. С.В. Овсянников, Ю.А. Григорьева, Г.В. Воронцов. ФТТ, 54 (2), 246 (2012)
  6. В.В. Щенников, И.В. Коробейников, Н.В. Морозова. ТЭ, 6, 41 (2013)
  7. В.В. Щенников, И.В. Коробейников, Г.В. Воронцов. ТЭ, 5, 32 (2013)
  8. Ю.М. Белов, Н. Маекава. Литая пластина, изготовленная из термоэлектрического материала (Патент РФ, 2160484) с. 5
  9. Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, Ю.А. Сидоров. Неорг. матер., 35 (1), 44 (1999)
  10. Б.М. Гольцман, В.В. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- (М., Наука, 1972) с. 320

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.