Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тензосопротивление n-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44657.8465

Гайдар Г.П.¹, Баранский П.И.²

¹Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: gaydar@kinr.kiev.ua

Поступила в редакцию: 29 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально и теоретически исследованы изменения тензосопротивления, тензомагнето- и магнетотензосопротивления в широких диапазонах напряженностей магнитного поля, 0≤ H≤100 кЭ, и механических напряжений, 0 ≤ X ≤ 0.7 ГПа, при 77 K в условиях невырожденной статистики электронного газа в кристаллах n-Ge разной кристаллографической ориентации. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44657.8465

Г.П. Гайдар, П.И. Баранский, В.В. Коломоец. Физика и химия твердого тела, 15 (1), 58 (2014)
С.И. Будзуляк. Физика и химия твердого тела, 13 (1), 34 (2012)
Ch.S. Smith. Phys. Rev., 94 (1), 42 (1954)
C. Herring. Bell System Tech. J., 34 (2), 237 (1955)
П.И. Баранский, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. Физические свойства кристаллов кремния и германия в полях эффективного внешнего воздействия (Луцк, Надстырье, 2000)
П.И. Баранский, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. Неоднородности полупроводников и актуальные задачи междефектного взаимодействия в радиационной физике и нанотехнологии (Киев-Луцк, РИО ЛГТУ, 2007)
Г.П. Гайдар. Электронная обработка материалов, 51 (2), 85 (2015)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977)
P.I. Baranskii, V.V. Kolomoets. Phys. Status Solidi B, 45 (1), K55 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель