Вышедшие номера
Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi2Te3
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, 3-ий Грант молодым учёным и специалистам, № EIF/GAM-3-2014-6(21)-24/01/1
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, Интеграция Науки и Образования, № EIF/MQM/Elm-Təhsil-1-2016-1(26)
Абдуллаев Н.А.1, Джафарли К.М.1, Алигулиева Х.В.1, Алиева Л.Н.1, Кахраманов С.Ш.2, Немов С.А.3
1Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: abnadir@physics.ab.az
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

Исследованы температурные зависимости в интервале температур T=5-300 K удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффекты Холла и поперечного магнитосопротивления в нелегированных и легированных слоистых монокристаллах Bi2Te3 (магнитные поля <80 кЭ, T=5 K). Показано, что при легировании Bi2Te3 атомами редкоземельных элементов Eu, Tb, Dy наблюдается увеличение удельного сопротивления как в плоскости слоев, так и в направлении, перпендикулярном слоям Bi2Te3. Увеличение удельного сопротивления обусловлено главным образом уменьшением подвижности носителей заряда вследствие повышения роли в рассеянии процессов рассеяния носителей на дефектах. Оценены величины концентраций и подвижностей носителей заряда, а также значения холл-фактора, обусловленного анизотропией эффективных масс и ориентацией эллипсоидов относительно кристаллографических осей. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44658.8483