"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi2Te3
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, 3-ий Грант молодым учёным и специалистам, № EIF/GAM-3-2014-6(21)-24/01/1
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, Интеграция Науки и Образования, № EIF/MQM/Elm-Təhsil-1-2016-1(26)
Абдуллаев Н.А.1, Джафарли К.М.1, Алигулиева Х.В.1, Алиева Л.Н.1, Кахраманов С.Ш.2, Немов С.А.3
1Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: abnadir@physics.ab.az
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

Исследованы температурные зависимости в интервале температур T=5-300 K удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффекты Холла и поперечного магнитосопротивления в нелегированных и легированных слоистых монокристаллах Bi2Te3 (магнитные поля <80 кЭ, T=5 K). Показано, что при легировании Bi2Te3 атомами редкоземельных элементов Eu, Tb, Dy наблюдается увеличение удельного сопротивления как в плоскости слоев, так и в направлении, перпендикулярном слоям Bi2Te3. Увеличение удельного сопротивления обусловлено главным образом уменьшением подвижности носителей заряда вследствие повышения роли в рассеянии процессов рассеяния носителей на дефектах. Оценены величины концентраций и подвижностей носителей заряда, а также значения холл-фактора, обусловленного анизотропией эффективных масс и ориентацией эллипсоидов относительно кристаллографических осей. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44658.8483
  1. В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 24 (4), 610 (1990)
  2. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
  3. P. Schnabel. Zeits. Angew. Phys., 22 (2), 136 (1967)
  4. Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Письма ЖЭТФ, 47 (10), 498 (1988)
  5. Б.А. Ефимова, И.Я. Коренблит, В.И. Новиков, А.Г. Остроумов. ФТТ, 3 (9), 2746 (1961)
  6. R.T. Delves, A.E. Bowley, D.W. Haselden, H.J. Goldsmid. Proc. Phys. Soc., 78, 838 (1961)
  7. Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970)
  8. Р. Лайхо, С.А. Немов, А.В. Лашкул, Э. Лахдеранта, Т.Е. Свечникова, Д.С. Дворник. ФТП, 41 (5), 565 (2007)
  9. J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc., 69, 1101 (1956).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.