Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi2Te3
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, 3-ий Грант молодым учёным и специалистам, № EIF/GAM-3-2014-6(21)-24/01/1
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, Интеграция Науки и Образования, № EIF/MQM/Elm-Təhsil-1-2016-1(26)
1Институт физики НАА, Баку, Азербайджан 
2Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: abnadir@physics.ab.az
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.
Исследованы температурные зависимости в интервале температур T=5-300 K удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффекты Холла и поперечного магнитосопротивления в нелегированных и легированных слоистых монокристаллах Bi2Te3 (магнитные поля <80 кЭ, T=5 K). Показано, что при легировании Bi2Te3 атомами редкоземельных элементов Eu, Tb, Dy наблюдается увеличение удельного сопротивления как в плоскости слоев, так и в направлении, перпендикулярном слоям Bi2Te3. Увеличение удельного сопротивления обусловлено главным образом уменьшением подвижности носителей заряда вследствие повышения роли в рассеянии процессов рассеяния носителей на дефектах. Оценены величины концентраций и подвижностей носителей заряда, а также значения холл-фактора, обусловленного анизотропией эффективных масс и ориентацией эллипсоидов относительно кристаллографических осей. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44658.8483
- В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 24 (4), 610 (1990)
- Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
- P. Schnabel. Zeits. Angew. Phys., 22 (2), 136 (1967)
- Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Письма ЖЭТФ, 47 (10), 498 (1988)
- Б.А. Ефимова, И.Я. Коренблит, В.И. Новиков, А.Г. Остроумов. ФТТ, 3 (9), 2746 (1961)
- R.T. Delves, A.E. Bowley, D.W. Haselden, H.J. Goldsmid. Proc. Phys. Soc., 78, 838 (1961)
- Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970)
- Р. Лайхо, С.А. Немов, А.В. Лашкул, Э. Лахдеранта, Т.Е. Свечникова, Д.С. Дворник. ФТП, 41 (5), 565 (2007)
- J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc., 69, 1101 (1956).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
