"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4o
Крыжановская Н.В.1,2,3, Полубавкина Ю.С.1, Неведомский В.Н.3, Никитина Е.В.1, Лазаренко А.А.1, Егоров А.Ю.4, Максимов М.В.1,2,3, Моисеев Э.И.1, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: NataliaKryzh@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4o. Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более ~2·108 см-2. Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне ~ 630-640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44118.8375
  1. M. Henini. Dilute Nitride Semiconductors. Amsterdam, Elsevier, (2005)
  2. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager III, E.E. Haler, X.P. Xin, C.W. Tu, Appl. Phys. Lett., 76, 3251 (2000)
  3. I.A. Buyanova, G. Pozina, J.P. Bergman, W.M. Chen, X.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 52, 81 (2002)
  4. A.A. Лазаренко, E.B. Никитина, M.C. Соболев, E.B. Пирогов, Д.В. Денисов, А.Ю. Егоров. ФТП, 49, 489 (2015)
  5. A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  6. Yu. Furukawa, H. Yonezu, K. Ojima, K. Samonji, Y. Fujimoto, K. Momose, K. Aiki. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 528 (2002)
  7. T. Tsuji, H. Yonezu, M. Yokozeki, Y. Takagi, Y. Fujimoto, N. Ohshima. Jpn. J. Appl. Phys., 36 (9A), 5431 (1997)
  8. А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, Е.В. Пирогов, М.М. Павлов, ФТП, 44, 886 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.