Вышедшие номера
Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4o
Крыжановская Н.В.1,2,3, Полубавкина Ю.С.1, Неведомский В.Н.3, Никитина Е.В.1, Лазаренко А.А.1, Егоров А.Ю.4, Максимов М.В.1,2,3, Моисеев Э.И.1, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: NataliaKryzh@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4o. Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более ~2·108 см-2. Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне ~ 630-640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44118.8375