"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор
Леньшин А.С.1, Середин П.В.1, Кавецкая И.В.1, Минаков Д.А.1, Кашкаров В.М.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: lenshinas@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы особенности осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния со средним размером пор 50-100 и 100-250 нм. Методами инфракрасной и фотолюминесцентной спектроскопии были исследованы особенности состава и оптических свойств полученных систем. Установлен преимущественно физический тип адсорбции Родамина Б на поверхность por-Si с различной пористостью и определены оптимальные технологические параметры его осаждения. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44103.8337
  1. K. Kusova, O. Cibulka, K. Dohnalova, I. Pelant, J. Valenta, A. Fuci kova, K. Zi dek, J. Lang, J. Englich, P. Matejka, P. Stepanek, S. ACS Nano, 4 (8), 4495 (2010)
  2. E.J. Anglin. D-r of Philosophy in Chemistry Thesis (University of California, San Diego, California, 2007)
  3. S.N. Ivannikov, I.V. Kavetkaya, V.M. Kashkarov, A.S. Lenshin. TPL, 39 (1), 9 (2013)
  4. V.M. Kashkarov, A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, V.N. Tsipenyuk. J. Surf. Inv., 6 (5), 776 (2012)
  5. A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, D.A. Minakov, B.L. Agapov, M.A. Kuznetsova, V.A. Moshnikov, E.P. Domashevskaya. Semiconductors, 46 (8), 1079 (2012)
  6. A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, D.L. Goloshchapov, P.V. Seredin, K.A. Polumestnaya, E.V. Maraeva, S.A. Soldatenko, Yu.A. Jurakov, E.P. Domashevskaya. Inorg. Mater., 48 (10), 965 (2012)
  7. A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Sem. Proc., 30, 25 (2015)
  8. V.P. Tolstoy, I.V. Chernyshova, V.A. Skryshevsky. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films (Wiley Interscience, John Wiley\&Sons, Inc., 2003)
  9. Spectral Database for Organic Compounds, SDBS, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, http://sdbs.db.aist.go.jp
  10. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
  11. V.A. Svetlichyi, A.A. Biryukov, I.N. Lapin, T.I. Isaak. Izvestia vuzov. Ser. Fizika, 11 (3), 69 (2010)
  12. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (10), 1046 (1990)
  13. V.S. Levitskii, A.S. Lenshin, P.V. Seredin, E.I. Terukov. Semiconductors, 49 (11), 1493 (2015)
  14. S.N. Kuznetsov, V.B. Piculev, Yu.E. Gardin, I.V. Klimov, V.A. Gurtov. Phys. Rev. B, 51 (3), 1601 (1995)
  15. M.J.Sailor, E.C. Wu. Adv. Funct. Mater., 19 ( 20), 3195 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.